二极管和晶体管解析.pptVIP

发光二极管 (LED) 14.6.2 光电二极管 光电二极管在反向电压作用下工作。当无光照时, 和普通二极管一样, 其反向电流很小, 称为暗电流。当有光照时，产生的反向电流称为光电流。照度 E越强，光电流也越大。 常用的光电二极管有2AU、2CU等系列。光电流很小， 一般只有几十微安， 应用时必须放大。 I/?A U/ V E=0 E1 E2 (a) 伏安特性 (b) 符号 E2 E1 通过光电二极 管可将光信号 转换成电信号 14.6.3 光电晶体管 光电晶体管用入射光照度E的强弱来控制集电极电流。当无光照时, 集电极电流 ICEO很小, 称为暗电流。当有光照时, 集电极电流称为光电流，一般约为零点几毫安到几毫安。 常用的光电晶体管有3AU、3DU等系列。 (b) 输出特性曲线 (a) 符号 C E 光电晶体管在一般的检测电能和光电转换中作为转换元件。 本章要求： 1. 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 2. 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3. 会分析含有二极管的电路。 第14章 二极管和晶体管 * * 14.4 稳压二极管 1. 符号 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 稳压二极管 3. 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ 、最大稳定电流 IZM (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 常用稳压二极管型号及参数： 05Z6.2Y ；硅稳压二极管 Vz=6~6.35V,Pzm=500mW, 05Z7.5Y ；硅稳压二极管 Vz=7.34~7.70V,Pzm=500mW, 05Z13X ；硅稳压二极管 Vz=12.4~13.1V,Pzm=500mW, 05Z15Y ；硅稳压二极管 Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW, 05Z18Y ；硅稳压二极管 Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW, 14.5 双极型晶体管 14.5.1 基本结构 (b) 合金型 (a) 平面型 常见晶体管的外形图 14.5 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 晶体管电流放大的实验电路 设 EC = 6 V，改变可变电阻 RB, 则基极电流 IB、集电极电流 IC 和发射极电流 IE 都发生变化，测量结果如下表： 2. 各电极电流关系及电流放大作用 mA ?A V V mA IC EC IB IE RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 晶体管电流测量数据 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: (1) IE = IB + IC 符