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微波毫米波单片集成电路综述论文摘要微波集成电路（Microwave Integrated Circuit缩写为MIC）是工作在微波波段和毫米波波段即30GHz～300GHz频率范围，由微波无源元件、有源器件、传输线和互连线集成在一个基片上，具有某种功能的电路。微波集成电路起始于20世纪50年代。微波电路技术由同轴线、波导元件及其组成的系统转向平面型电路的一个重要原因，是微波固态器件的发展。60～70年代采用氧化铝基片和厚膜薄膜工艺；80年代开始有单片集成电路。微波集成电路大致可以分为两种电路：混合微波集成电路和单片微波集成电路。混合微波集成电路是用厚膜技术或薄膜技术将各种微波功能电路制作在适合传输微波信号的介质(如高氧化铝瓷、蓝宝石、石英等)上，再将分立有源元件安装在相应位置上组成微波集成电路。这种电路的特点是根据微波整机的要求和微波波段的划分进行设计和制造，所用集成电路多是专用的。常用的混合微波集成电路有微带混频器、微波低噪声放大器、功率放大器、倍频器、相控阵单元等各种宽带微波电路。单片微波集成电路（Monolithic Microwave Integrated Circuit缩写为MMIC）则是将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓或其他半导体芯片上的集成电路。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行，大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。在这类器件中，作为反馈和直流偏置元件的各个电阻器都采用具有高频特性的薄膜电阻，并且与各有源器件一起封装在一个芯片上，这使得各零件之间几乎无连线，从而使电路的感抗降至最低，且分布电容也极小，因而可用在工作频率和频宽都很高的MMIC放大器中。目前，MMIC的工作频率已可做到40GHz，频宽也已达到15GHz，因而可广泛应用于通信和GPS, 等各类设备的射频、中频和本振电路中。本文主要从单片微波集成电路工艺、基于Si的单片微波集成电路的电路结构的发展、基于Si的单片微波集成电路的制造工艺的发展以及微波毫米波单片集成电路的发展趋势这几方面进行综述分析。 单片微波集成电路工艺发展综述发展毫米波器件一直是发展毫米波技术的先导，研制宽带、低噪声、大功率、高效率、高可靠、长寿命、多功能的毫米波器件是该技术的关键。建立精确有效的CMOS有源和无源器件模型是毫米波CMOS集成电路设计的关键。在射频集成电路设计中，有源器件通常用于驱动或放大电路，而无源器件多用于匹配网络电路。过去，射频电路设计采用查表的方法，以二端口或多端口网络的形式建立各种不同的器件尺寸、偏置和频率的数据库。这种方法的缺点在于器件只能被看作一个黑匣子，设计者不能进行系统综合，因此优化方法很难被实现。现今，一种较好的并已被广泛采用的方法就是利用基于物理特性的精简模型。这种模型通过一系列参数和方程来获取器件行为背后的重要物理特性，它的好处就在于仅仅使用一套参数和公式就能在较大的不同尺寸、偏置和工作频率的范围内重构器件行为，设计者具有使用器件的最大自由度。对微波毫米波单片集成电路的发展有重大推进的工艺进步包括：CMOS工艺特征尺寸进入深亚微米阶段，NMOS的截止频率fT已超过500Hz．二分频电路的工作频率已超过10GHz；III／V族化合物固态电路工艺稳定发展，高电子迁移率晶体管(HEMT)的截止频率fT已超过200GHz。人们已设计出了工作频率高达110GHz的放大器集成电路；硅锗异质结器件异军突起，异质结双极性晶体管(HBT)截止频率fT已达l00GHz，利用高速HBT，人们已设计出了数据率高达50Gb／s的光纤通信用集成电路。一、晶体管建模：目前，比较流行的CMOS晶体管精简模型有三种：BSIM3(Berkeley short-channel IGFET model)，MOS9和EKV2.6。这些精简模型在低频段能够提供精确的仿真结果，但是在几十GHz的毫米波频段，仿真结果会出现非常大的误差。因此如何将这些CMOS晶体管精简模型应用于毫米波频段是内一个巨大挑战。一种可行的方法是对精简模型进行扩展。CMOS晶体管模型分为内核部分和外部参量部分。内核部分采用精简模型，添加的外部参量用于表征因高频而产生的寄生参数。CMOS晶体管的参数提取方法有以下三种：1.利用Agilent IC-CAP从测量数据中直接提取参数。直接利用测量数据提取参数可以获得较好的精度，但是这种方法的缺点在于需要事先进行晶体管版图设计、流片和测试。2.利用器件仿真软件提取参数。利用二维的工艺和器件仿真不仅可以解决测试可能带来的一定误差，而且提取的参数精度也较高，从而很好地弥补了直接利用测量数据提取参数这一方法的不足之处。3.利用电磁场仿真提取参数。该方法通过晶体管的版图设计，利用Agilent ADS Momentu