《控制系统数字仿真与CAD第3版》张晓华习题解答第2章-电力电子器件建模-IGBT（参考）.docVIP

第七节 电力电子建模问题的提出 上一节“电力电子系统建模”中所涉及到的电力电子器件都是理想开关模型（“0”、“1”状态），如表1。然而，当我们在研究的时候，我们就必须对电力电子器件建立更精确的模型。这里的电力电子器件模型将不再是状态空间表达式或者传递函数的形式，这是因为简单形式的状态空间表达式或者传递函数已经无法精确表达出器件的动、静态过程。：器件模型换向过程（微观时间尺度上）、元器件张力、功率消耗、设计器件缓冲电路等情况。表1 理想开关与实际功率开关对比 理想开关 实际功率开关器件 反向耐压 VVBR 漏电流 0 Ir0 通态压降导致开关损耗 0 P＝Von*Ion 开关时间 0 toff,ton0 驱动功率 忽略 不可忽略 这里n和p分别是电子和空穴的密度，和是载流子的迁移率，载流子并不是均匀分布的，它们的密度也不是均匀的。 (2). 电荷存储量 对于双极型器件而言，当处于导通状态时，载流子电荷被存储在低搀杂区域，这些载流子电荷在器件阻断之前，必须尽快地被移走，这过程是引起开关延时和开关损耗的根本原因。我们以往使用的用于仿真的器件模型都是一种准静态模型，这就意味着电荷的分布是器件两端瞬时电压的函数，这根本不适于功率电子器件，若要准确描述器件的动态特性，就需要导入器件的基本物理方程。在暂态瞬间，功率器件的低搀杂区域内的载流子电荷随着时间和位置进行变化。 (3). MOS电容 在MOSFET、IGBT、MCT等控制门极通常都是绝缘门极，这样的门极都具有比较大的门极电容，这个电容受门极电压的影响，是个非线性电容。影响最大的是门极和阳极之间的电容，在应用电路中门极是输入端，而阳极通常是输出端，通过两极电容形成的反馈作用，对开关的特性产生了较大的影响。 (4). 电热交互作用 由于功率损耗，电力电子器件在工作时产生大量的热能，器件的特性同器件的温度有极大的关联，因此变化的温度对器件的特性产生了影响，考虑到热对器件特性的影响，也需要对器件的电热效应建模。 (5). 击穿 击穿不仅仅发生在器件损坏时，有时正常的应用也会发生击穿想象现象。功率电子器件的击穿大多数是雪崩击穿，但有时也有齐纳击穿发生。 电力电子器件建模的建模方法 目前有关电力电子器件的仿真模型有很多, 这些模型主要包括下面几类: 一类是从器件的物理原理为基础的方程出发构造的模型, 这类模型可以称为微模型, 其模型参数与物理原理密切相关, 这类模型的特性比较接近器件的实际特性, 但是它的参数比较复杂, 用户使用起来很不方便。与微模型不同的是,电力电子器件的宏模型是从另外一个角度出发, 运用电阻、电容、二极管和晶体管等元器件构造电力电子器件外部特性的等效模型, 这类模型的构造相对来说要简单些, 应用起来也比较直观和方便, 但是宏模型的精确性不如微模型。 电力电子器件有各种各样电路模型，所以也存在许多建模方法。下面我们主要在子电路模型和数值模型这两种模型形式加以讨论。 (1). 数值建模法 数值模型一般是直接利用半导体功率器件的物理方程求解而到模拟结果的一种建模方法。通过这种建模方法得到的电力电子器件数值模型可以称为数值模型（或者微模型）, 其模型参数与物理原理密切相关, 这类模型的特性比较接近器件的实际特性, 但是它的参数比较复杂, 用户使用起来很不方便，对计算机的眼球也非常之高。 (2). 子电路建模法 这种模型一般都建立在已有的通用电路仿真平台上，根据需要建模的电力电子器件特性，利用仿真平台器件库中已有的器件，搭出满足电力电子器件器件静态和动态特性模型来。当然这种子电路模型可以很简单，也可能很复杂。子电路型电力电子器件模型的仿真精度一方面取决于模型本身结构，它还取决于仿真平台的计算精度和仿真平台中已有的模型精度，所以子电路型电力电子器件模型的精度不会十分理想，而且由于模型的结构有时过于复杂（有时为了追求仿真精度），所以仿真时就要花费许多时间。但它的优点是建模过程简单，容易理解和便于掌握。 电力电子器件的模型参数和模型参数的提取 一个模型是否精确不仅仅取决于模型本身，它还取决于模型参数。但这个问题在器件建模中并没受到足够的重视。实际上用于电路仿真的器件模型是否对电路的设计者有价值，是取决于模型的参数系列是否可靠。 简单的模型只有较少的参数，这些参数来源于对观测到器件工作特性曲线的拟合。而精确的模型则需要大量的模型参数，因为这些模型是根据器件的物理特性和器件结构建模的。 (1). 电力电子器件的模型参数 电力电子器件的模型参数分以下几类： (a). 技术参数 这些参数涉及到器件结构和材料特性。如：不同区域的长度和宽度、掺杂浓度等。 (b). 物理参数 这些参数是同器件的物理现象有关的参数。像载流子的产生、复合、扩散、载流子的分布、迁移率和载流子的寿命等等。 (c