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F28335存储器功能概述 班 级： 姓 名： 学 号：F28335芯片整体功能框图存储器映射1、F28335使用32位数据地址线和22位程序地址线。2、32位数据地址线可访问4GB的数据空间， 16位/32位3、22位程序地址线可访问4MB的程序空间。 16位/32位。4、存储器模块采用统一编址方式映射到程序空间和数据空间。F28335的存储器分为以下几部分：1. 单周期访问RAM（SARAM）2. Flash存储器3. OTP存储器4. Boot ROM（装载了引导程序）5. 安全模块6. 外设存储器（片内的外设）7. 片外存储器 一、单周期访问RAM(SARAM)共分10部分：（1）M0和M1，可映射到数据空间或程序空间（2）L0~L3、 L4~L7，可映射到数据空间或程序空间二、flash存储器闪存的英文名称是Flash Memory，一般简称为Flash，它属于内存器件的一种，是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异：目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存；闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。F28335的Flash存储器一般可以把程序烧写到Flash中，以避免带着仿真器试调。F28335器件包含256K*16位的嵌入式闪存存储器，被分别放置在8个32k*16位扇区内。三、OTP存储器OTPROM(One Time Programmable Read-Only Memory)，可以进行片内编程操作，而且可以增强加密功能。然而OTP ROM MCU的OTPROM 存在一个缺点：不可擦除，也就是说只能编程一次，不能实现重复编程，不利于大量普及使用。当程序从仿真器移植到单片机的OTPROM 时，并不能保证程序的一次成功性，由于单片机的不可擦除性，若程序脱机一次就使用一片单片机，显然将造成巨大的资源浪费。另一方面，对于复杂系统，16 KB的OTPROM容量如果不够，则需要采用扩展外部存储器，为了保证有效实现加密功能，应保留一部分程序在片内OTPROM，此时便涉及到单片机内、外存储器的衔接问题。四、Boot ROM（装载了引导程序）五、安全模块用来保护FLASH、OTP、L0~L3的代码被非法读出。要激活代码安全模块的访问，用户必须输入与存储在FLASH里一致的128密码才可以。六、外设存储器外设存储器通过外设模块产生相应的信号或输入信号。 外设寄存器只能映射到数据空间。 F28335的外设寄存器分三块（三帧）。（1）外设帧0: 16位，包括PIE向量表。（2）外设帧1和2: 16位，受保护。（3）外设帧3: 16位，受保护，且可DMA访问。七、片外存储器只有三段地址：Z0段：8k*16位；片选信号：XZCS0