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半导体概述 本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。 目的 完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语 “固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。 一个工业的诞生 电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。 这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。 真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的自由移动。 真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。 开关是指电子器件可接通和切断电流； 放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。 真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。 这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23日得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。 这种器件不但有真空管的功能，而且具有固态（无真空）、体积小、重量轻,、耗电低并且寿命长的优点，起初命名为 “传输电阻器”而后很快更名为晶体管（transistor）。 John Barden, Walter Brattin 和William Shockley, 这三位科学家因他们的这一发明而被授予1956年的诺贝尔物理奖。 固态时代 第一个晶体管和今天的高密度集成电路相去甚远，但它和它的许多著名的后裔赋予了固态电子时代的诞生。除晶体管之外, 固态技术还用于制造二极管、电阻器和电容器。二极管为两个元件的器件在电路中起到开关的作用；电阻器是单元件的器件承担限制电流的作用.；电容器为两个元件的器件在电路中起存储电荷的作用，在有些电路中应用这种技术制造保险丝。有关这些概念和器件工作原理的解释请参见第14章。 这些每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（图1.4）。大多数的分立器件在功能和制造上比集成电路有较少的要求。大体上，分立器件不被认为是尖端产品，然而它们却用于最精密复杂的电子系统中。在1998年它们的销售额占全部半导体器件销售额的12%。2到20世纪50年代的早期半导体工业进入了一个非常活跃的时期，为晶体管收音机和晶体管计算机提供器件。 集成电路 分立器件的统治地位在1959年走到了尽头。那一年，在得州仪器公司工作的新工程师 Jacky Kilby 在一块锗半导体材料上制成了一个完整的电路。他的发明由几个晶体管、二极管、电容器和利用锗芯片天然电阻的电阻器组成。这个发明就是集成电路（integrated circuit），第一次成功地在一块半导体基材上做出完整的电路。 Kilby的电路并不是现今所普遍应用的形式，它是经Robert Noyce，然后最终在Fairchild Camera完成的。图1.5是Kilby的电路，我们可以注意到器件是用单独的线连接起来的。 早些时候在Fairchild Camera的Jean Horni 就已经开发出一种在芯片表面上形成电子结来制做晶体管的平面制作工艺（图1.6）。平面形式是利用了硅易于形成氧化硅并且为非导体（电绝缘体）的优点。Horni的晶体管使用了铝蒸汽镀膜并使之形成适当的形状来作器件的连线，这种技术称为平面技术（planar technology）。 Horni应用这种技术把预先在硅表面上形成的器件连接起来。 Kilby和Horni的集成电路成为所有集成电路的模式，这种技术不仅符合当时的需要，而且也是小型化和推动工业发展的生产有效成本制造业的根源。Kilby和Horni共同享有集成电路的专利。 图1.5 Kibly书中记载的集成电路 工艺和产品趋势 从1947年开始，半导体工业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺