[微机原理与接口第6章_存储器扩展.pptVIP

译码器74LS138 74LS138的功能表 全译码示例 部分译码示例 线选译码示例 作业 P233-234 1，2，3，4，6，9 举例 5，8，10 4．接口动态随机存储器DRDRAM(Direct Rambus DRAM) 从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定出新一代RDRAM标准，这就是DRDRAM。 它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚线可以被定义成地址线，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的1/3。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。这种芯片可以支持400 MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率达到800 MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在100 MHz时就可以使最大数据输出率达到1.6 GB/s。 5．带高速缓存动态随机存储器CDRAM(Cached DRAM) CDRAM是日本三菱电气公司开发的专有技术，通过在DRAM芯片上集成一定数量的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这种芯片使用单一的+3 V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供的CDRAM为4 MB和16 MB版本，其片内Cache为16 KB，与128位内部总线配合工作，可以实现100 MHz的数据访问。流水线式存取时间为7 ns。 6．虚拟通道存储器VCM(Virtual Channel Memory) VCM由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRAM中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现高速数据传输(即“带宽”增大)的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。在设计上，系统(主要是主板)不需要做大的改动，便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的这种“通道缓冲”执行读写操作。对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输，以及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构，因而VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行“大手笔”的更改。采用VCM后，系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内存工作方式，因为内存通道的运行与管理，都可移交给主板芯片组自己去解决。 7．快速循环动态存储器FCRAM(Fast Cycle RAM) 　　FCRAM由富士通和东芝公司联合开发，数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍。FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中，比如业务繁忙的服务器以及3D图形及多媒体处理等。FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时(并行)访问，而不像普通DRAM那样，以顺序方式进行(首先访问行数据，再访问列数据)。此外，在完成上一次操作之前，FCRAM便能开始下一次操作。为提高内存的数据吞吐速度，FCRAM和VCM采取了截然不同的两种方式。前者从内部入手，后者则“内外一齐抓”，在拓宽内存(存储)单元、芯片接口、内存控制器的带宽上下大功夫。FCRAM的开发计划自1999年2月初便已开始。按照富士通和东芝公司的协议，它们将联合开发64 MB、128 MB和256 MB的FCRAM。但和VCM、RDRAM内存技术不同的是，它面向的并不是PC机的内存，而是面向诸如显示内存等其他存储器。 * 第6章 半导体存储器 6.4 存储器的扩展 6.4.1 存储芯片的扩展 存储芯片的扩展包括位扩展、字扩展和字位同时扩展等三种情况。 1．位扩展 位扩展是指存储芯片的字(单元)数满足要求而位数不够，需对每个存储单元的位数进行扩展。图6.17给出了使用8片8 K?1的RAM芯片通过位扩展构成8K?8的存储器系统的连线图。 图6.17 用8K?1位芯片组成8K?8位的存储器 总结：位扩展的连接方式是将各芯片的地址线、片选CS、读/写控制线相应并联，而数据线要分别引出。 2．字扩展(地址范围) 字扩展用于存储芯片的位数满足要求而字数不够的情况，是对存储单元数量的扩展。 图6.18 由16K?8位芯片组成64K?8位的存储器 总结：字扩展的连接方式是将各芯片的地址线、数据线、读/写控制线并联，而由片选信号来区分各片地址。 表6.6 图6.16中各芯片地址空间分配表 A15A14 A13A12A