PMOSFET版图设计..docVIP

xxxxxxxxxx实验报告 课程名称：集成电路设计 实验名称： PMOSFET 版图设计 学号 姓名： 指导教师评定：____________________________ 签名：_____________________________ 实验目的 1、了解集成电路版图设计流程。 2、利用L-Edit 进行PMOSFET 版图设计。 实验器材 计算机一台，Tanner L-Edit软件 实验原理 PMOSFET 在N 型硅衬底上有两个P 区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N 型硅表面呈现P 型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。图8.8 所示为PMOSFET 结构示意图和符号。 实验内容及步骤： 1、 启动版图编辑器L-Edit。 2、 建立新文件。选择File---New 命令，文件类型为Layout，在New File 对话框的Copy TDB setup from file 栏中选择一个已经存在的文件，利用其设置信息作为新建文件的设置信息，并通过Save as 命令，将文件名更改为MOS，并保存。 3、 设置设计环境。在绘图前要设定好版图窗口的坐标与实际长度的关系，选择Setup---Design 命令，在出现的对话框的Technology 标签中设置技术单位 (Technology Unit)为Other 中的Lambda，并且设定一个Lambda 为10 个Interal Unit，同时设定一个Lambda 等于一个微米(Micros)，也可以直接将技术单位设定为一个微米。 在Grid 标签中对格点进行设定，如图8.11 所示。设定主格点(Major displayed grid)之间的距离为2.5 微米。当主格点之间的距离小于20 个像素的时候不显示，此项在Supress major grid if 后的空白处定义。定义次格点之间的距离为0.25 微米。当次格点之间的距离小于8 个像素的时候不显示，此项在Supress minor grid if 后的空白处定义。Mouse grid 以及Manufacturing grid 按默认值进行设置。所以项目设定好后，点击确认键，保存所作的设定。 4、选择绘图层。在画PMOS 晶体管的过程中，需要用到的绘图层有N 阱层 (N Well)、有源区层(Active)、P 选择层(P Select)、金属1 层(Metel1)、多晶硅层(Poly)、有源接触孔(Active Contact)、通孔层(Via)。选择的方法是在绘图层调色板中直接选择相关绘图层的图标或从下拉菜单中选择。 画各个工艺层。在选择了绘图层后，在绘图工具栏中选择适当的工具进行绘图，在绘图前还要查看设计规则文件(DRC 文件)中对此绘图层设计规则的定义。需要注意的是，随着绘图过程的进行，所画的绘图层的种类不多增多，设计规则的条目也越来越多。例如，在画有源层的时候，只画N 阱层，所以只需要注意设计规则中关于N 阱的规定，而当画到有源区接触孔层的时候，不但要注意有源区接触孔的最小距离及有源区接触孔与栅之间的最小距离等规则。 ① 绘制N Well 图层。L-Edit 编辑环境是预设在P 型基板上，故不需要定义 出P 型基板范围，而在P 型基板上制作PMOS 的第一步，流程上要先做出 N Well 区，即需要限定N Well 的区域。绘制N Well 前，首先要明确设计规则中 对N 阱尺寸的规定，这里所用的设计规则是Generic 0.25μm Process 的设计规则。观看N Well 绘制要遵守的设计规则可选择Tools---DRC Setup 命令，打开 Setup Design Rules 对话框， 再从其中的Rules list 列表框选择1.1 Well Minimum Width 选项，可知N Well 的最小宽度为1.45 微米， 选取Layers 面板下拉列表中的N Well 层，使工具被选取，再从Drawing工具栏中选择工具，在Cell0 编辑窗口画出一个高2.15 微米，宽3.1 微米的方形N Well ② 绘制P Select 图层。在画P Select 层之前，同样需要查看DRC 文件中关 于P Select 层规则的定义。查看的方法同前面所介绍的N 阱的方法类似。在DRC 文件中定义选择层的最小宽度“Select minimum width”为0.15