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首款100%无焊接大功率IGBT模块使得汽车性能优越 Norbert Pluschke, 赛米控（香港）有限公司 专为汽车应用需求而优化的新大功率IGBT模块即将面世。它是市场上首款100%无焊接绝缘IGBT模块。 1992年赛米控引入了压接技术。那时，赛米控推出了一款无底板IGBT模块。（SKiiP—技术）在DCB和底板之间无需焊接处理。电源和与DCB相连的辅助端子的触点不是通过焊接连接的。一种新的压力系统取代了传统的焊接系统，从而带来了良好的可靠性以及低热阻。 15年后的今天，赛米控将推出完全未经焊接处理的无底板IGBT模块。一般来说，IGBT芯片是焊接在DCB上，不过在新的IGBT模块中，采用了新的烧结工艺将IGBT与DCB相连。 负载循环期间的焊点疲劳将会导致热阻增大以及模块故障。烧结点是一层薄薄的银，与焊接相比具有优良的热阻特性，与此同时，由于银的熔点高（960度），没有发现有焊点疲劳现象，这将延长整个系统的使用寿命。赛米控可以将SKiiP技术与烧结技术相结合，其结果就是SKiM，一款新型无焊接IGBT模块 [3]。 1.使用寿命的要求 在汽车应用中，对于预期使用寿命的要求非常严格。电容器的使用寿命问题众所周知，但对IGBT使用寿命问题的了解就没那么普遍了。 传统IGBT模块的结构如图1所示。IGBT模块在不同的层使用不同的材料。键合线焊接在IGBT芯片上，IGBT芯片焊接在DCB上，DCB焊接在底板上。所有材料的CTE（热膨胀系数）不同。 图1- IBGT模块的结构 图2-温度变化 在一些大功率的应用中，IGBT模块的温度和负载循环的问题就会暴露出来。环境会有很大的影响。（图2）一年之中，周围的温度会变化。模块温度依赖于负载情况，这将影响底板的最高温度。结温（芯片温度）会变化非常快（在驱动器加速和减速过程中），这会在IGBT模块不同层之间产生温度差。如果温度发生变化，IGBT模块的各个材料层都将膨胀。由于CTE不同，各层的膨胀会带来机械应力并在一段时间之后使热阻增大。所以目标是开发一款各层材料CTE相似的IGBT模块，以保证使用寿命长。 2. SKiM模块系列 新的SKiM（SEMIKRON Integrated Module，赛米控集成模块）功率模块系列是下一代无底板超紧凑型压接模块。它没有将DBC（Direct Bonded Copper，直接敷铜）基板焊接到底板上，而是直接压在散热器上。靠近每个芯片使用了多个压接触点，保持DBC平整且无有底板模块所具有的双金属效应，双金属效应会干扰热性能。底板的去除确保了高温度循环能力（无CTE不匹配所带来的焊接疲劳效应）以及低热阻。 图3展示了封装外观，图4为带压接系统和辅助弹簧触点的器件剖面图。 图3 — SKiM63 的封装外观图 电路是带3个独立半桥的6单元模块。每个半桥有自己的DC端子并集成了NTC温度传感器。控制IGBT的辅助触点由弹簧触点制成。栅极驱动PCB无需焊接到模块上。相反，驱动器是用螺丝拧在模块的顶部，以确保高温循环能力和经振动证明可靠的弹簧触点。 图4 — SKiM 模块的剖面图 根据冷却和运行条件，器件可用于的功率范围在30 - 150kW之间。 3.母线设计 一个独特的特点是层状的内部母线设计（图5）。设计并优化这样一个母线是为了在模块内实现多个功能： 主端子和芯片之间的低电感，低阻抗对称连接，以保证并联芯片间良好的电流共享 满足大功率逆变器设计要求的大电流能力 为了实现低热阻，在每个芯片附近提供压力 图5 — 通过多个压接触点与DCB相连的层状母线 DC正极、负极和AC母线由经过压折的铜片组成。母线的三明治结构通过各个芯片附近的多个压接触点压在DBC基板上。大的接触压力确保了接触电阻小，无需额外的焊接。 3.1 低电感设计 与各个独立芯片并行连接的三明治结构保证了超低的内部电感。DC端子螺丝和AC端子之间的电感LCE小于10nH，DC正负极之间的总电感小于20nH。 图6 — SKiM端子磁场强度及电感的仿真 FEM仿真显示出电感主要来源于+/-DC端子之间的距离，三明治结构无法在那里进一步实现（参见图6）。经过对此处进行优化，电感可减小30%（-10nH）。由于存在其他限制，如漏电和爬电距离，几乎不可能再做进一步的改善。 只有采用多个并行连接至直流环节，才有可能得到明显更低的值，赛米控AIPM模块实现了这种方式 [1]。 用户获得的好处是在di/dt大的情况下内部电压过冲小，这使得可以在高直流环节电压下运行，并且即使在短路情况下也能安全关断。无任何振荡、干净的开关波形使得开关损失小且EMI低 。此外，同步开关确保了所有芯片的开关损耗几乎相等