第18章半导体器件物理分析
第18章 半导体器件物理基础 18.1 p-n结 18.2 半导体表面 18.3 金-半接触 18.2 半导体表面 1.半导体的表面态 纯净表面——理想表面 实际表面 氧化层填补了一定的悬挂键,但是由于其与晶格的不完全匹配,悬挂键不可能完全被填充,故仍存在一定的表面态密度 表面态 施主表面态 受主表面态 表面能级被电子占据是呈中性,施放电子时呈正电性 表面能级空着时呈中性,接受电子时呈负电性 实验证明,表面施主能级更靠近价带 实验证明,表面受主能级更靠近导带 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 表面施主态 表面带正电 近表面的半导体层就感应出负电荷 有表面指向半导体的电场 产生的表面电势差Vs0,即表面势必内部高; 对电子(导带)而言附加电势能为-qVs;对空穴(价带)而言附加电势能为qVs; 无论导带还是价带,附加电势能都将使得能带向下弯曲; EC EV EF 电子 空穴 E qVS n型半导体+表面施主态 电子(多子)积累 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 EC EV EF qVS p型半导体+表面施主态 空穴(多子)耗尽 p型半导体+强的表面施主态 空穴(多子)耗尽+反型 EC EV EF Ei 反型层 耗尽层 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 表面受主态 表面带负电 近表面的半导体层就
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