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lDDR2内存技术分析
DDR2内存技术分析
顾名思义,DDR2就是第二代双倍速率同步动态随机存储器,这个名字听上去很拗口,实际上我们只要知道它的缩写是DDR SDRAM就行了。就目前的发展看来,DDR2绝对不是纸上谈兵,它的平台已经准备好了,不出意外的话,Intel七月份就会发布支持DDR2的芯片组925X和915。明年,DDR2就会成为PC上普遍使用,甚至是主流的内存类型。
因此,我们应该了解DDR2和它的前一代产品有什么区别,它有什么优势和不足之处。换句话说,我们试图去领会,工业界为什么需要引入这种新的内存类型。
当前的处理器主频和I/O带宽都很高,需要内存提供很高的数据传输率来配合。要知道内存带宽至少要和前端总线带宽同步,这样才不至于影响处理器性能的发挥。而且处理器的速度提升还在不断的进行中,内存需要每秒钟提供更多的数据来满足处理器的要求。目前的内存速度提升已经相当困难,这时候转变到DDR2不失为合理的时机,它提供了一条提高内存带宽的康庄之道,可以缓解当前遇到的很多问题。
提高内存性能的两个途径
内存的性能通过下面的公式来计算:
速度=位宽×频率
速度用来表示内存的性能(MB/s),位宽是指内存总线的宽度(bit),频率当然就是指数据传输的频率,注意,这里说的是数据传输的频率,而不是内存的工作频率,在DDR时代,数据传输频率是内存工作频率的二倍。
因此,提高性能有两种方式,增加内存总线的位宽或者是提高内存工作的频率。好的,让我们来看看内存如今的状态是怎么样。
虽然内存发展出很多的类型,但是它们都是基于原始的DRAM单元,实际上,它是一个晶体管和一个电容的结合体,很简单但也很高效。有很多尝试希望丢弃这种阵旧的以晶体管为基础的存储方式,出现了一些新的存储技术,如MRAM(Magnetoresistive RAM),FRAM (Ferroelectric RAM)等,但是它们都没有获得足够的成功。没有其它内存类型能够提供一个和DRAM相似的,结合了容量,价格和速度的解决方案。
当然还有很多快速的基本单元结构,象静态内存(SRAM),它不象动态内存那样需要刷新(预充电),但是它的每个存储单元耗用了大量的晶体管,它太贵太大了,因此内存芯片不能够达到足够大的容量,还有一些廉价的解决方案,但是它们的性能无法用于PC的主内存系统。
换句话说,基本的DRAM架构仍然是现代内存类型的基础,因此,所有的现代内存类型都继承了DRAM的优点和缺点:它需要刷新(预充电,不然随着漏电,DRAM中的数据会消失),以及有操作频率的上限(这也是用电容充电来存储数据的弊病)。来谈谈最后的参数,你能够注意到时钟频率是很长时间以来DRAM唯一改变的地方。当PC的其它子系统变得越来越快时,只有经典的内存单元组织结构很难提高它的时钟频率。实际上,时钟频率的提升完全要归功于半导体工艺的进步,DRAM的结构没对频率提升做出贡献。
今天,只有那些特别挑选的内存存储阵列的工作频率能达到275MHz(如Hynix发布的DDR550),这些都是成本高昂的产品,无法达到大批量生产。需要注意的是内存存储阵列的频率是无法达到550MHz的,这里说的是内存的传输速度。
因此,我们只剩下一条路,那就是增加内存总线的宽度,但是,这个方法受到了很多限制:今天,标准平台使用双通道128bit内存总线,它的设计,布线已经比原来64位内存通道的主板复杂了很多,几乎很难在合理的成本下再提高内存总线位数。继续增加总线宽度,不但成本高昂,而且带来的电磁干扰会造成极大的负面影响。
看来,我们给自己制造了一个死锁,内存单元无法提高频率,内存总线位宽也不能轻易增加,我们该何去何从?
DDR2内存就是解决方案
SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory)
首先,让我们回忆一下已经被放弃的SDRAM的工作原理,实际上,它内部包括了许多存储单元阵列,以及输入/输出缓存和电源/刷新电路,最后一个单元(电源/刷新电路)和我们下面的描述没有关系。它的三个子系统(存储单元阵列,输入/输出缓存)都以相同的频率工作,这就是它为什么称为同步内存的原因。举例来说,一个100MHz,64位总线宽度的SDRAM,内存的数据通过I/O缓存然后到达内存控制器。这个内存模组就是我们所熟知的PC100内存,它的带宽为800MB/s(100MHz×8 bytes或64 bits),每个时钟周期传输一次数据,它在时钟的上升沿传输数据。
DDR (Double Data Rate SDRAM)
DDR之所以叫这个名字,是因为它能够以相同频率SDRAM的两倍来传输数据,也就是说,每时钟周期传输两次数据,它在时钟信号的上升沿和下降沿传输数据。但是加倍的数据从何而来,设计人员使用了一个
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