第3章二极管及其基本电路分析.ppt

3.3.1 二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型两大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 3.3.1 二极管的结构 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)集成电路中的平面型 (3) 二极管的代表符号 3.3.2 二极管的I-V特性 二极管的伏安特性曲线可用下式表示 硅二极管2CP10的I-V 特性 锗二极管2AP15的I-V 特性 正向特性 反向特性 反向击穿特性 3.3.3 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR (3) 反向电流IR (4) 极间电容Cd（CB、 CD ） (5) 反向恢复时间TRR 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V -I 特性曲线。 符号中大小写的含义： 大写字母大写下标：静态值（直流），如，IB （参见“本书常用符号表”） 小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，iB 小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib 例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 解：由电路的KVL方程，可得 即 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线 Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1. 二极管I-V 特性的建模 将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。 （1）理想模型 I-V 特性 代表符号 正向偏置时的电路模型 反向偏置时的电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 1. 二极管I-V 特性的建模 （2）恒压降模型 （a）I-V 特性 （b）电路模型 （3）折线模型 （a）I-V 特性 （b）电路模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 （4）小信号模型 vs =Vmsin?t 时（VmVDD） Q点称为静态工作点 ，反映直流时的工作状态。 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。 1. 二极管I-V 特性的建模 + vs - 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 过Q点的切线可以等效成一个微变电阻 即 根据 得Q点处的微变电导 则 常温下（T=300K） 1. 二极管I-V 特性的建模 （4）小信号模型 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 特别注意： 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vDVT 。 （a）I-V 特性 （b）电路模型 1. 二极管I-V 特性的建模 （4）小信号模型 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 * * 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 《电子技术基础》 模拟部分 （第六版） 华中科技大学 张林 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 3 二极管及其基本电路 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 二极管 3.4 二极管的基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体 3.1.4 杂质半导体 3.1.1 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 3.1.2 半导体的共价键结构 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 3.1.3 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 空穴——共价键中的空位。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对