第4章场效应三极管及其放大电路分析.ppt

4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较 2. 三种组态的动态指标比较 共源 共漏 共栅 电压增益 输入电阻 输出电阻 很高 很高 Ro ? Rd Ro ? Rd 4.6 集成电路单级MOSFET放大电路 4.6.1 带增强型负载的NMOS放大电路 4.6.2 带耗尽型负载的NMOS放大电路 4.6.3 带PMOS负载的NMOS放大电路 （CMOS共源放大电路） 4.4.1 MOSFET的小信号模型 1. ? =0时 在饱和区内有 （以增强型NMOS管为例） FET双口网络 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ-VTN)时， 其中 4.4.1 MOSFET的小信号模型 FET双口网络 纯交流 电路模型 1. ? =0时 ? gmvgs 是受控源 ，且为电压控制电流源(VCCS)。 ? 电流方向与vgs的极性是关联的。 4.4.1 MOSFET的小信号模型 FET双口网络 d、s端口看入有一电阻rds 电路模型 2. ? ? 0时 4.4.1 MOSFET的小信号模型 gm —— 低频互导 转移特性曲线Q点上切线的斜率 3. 参数的物理意义 4.4.1 MOSFET的小信号模型 3. 参数的物理意义 rds —— 输出电阻 输出特性曲线Q点上切线斜率的倒数 4.4.1 MOSFET的小信号模型 4. 模型应用的前提条件 ? =0 ? ?0 ? 参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。 ? 与静态工作点有关，在放大区基本不变。 只适合对交流信号（变化量）的分析。 未包含结电容的影响，不能用于分析高频情况。 vgs 2(VGSQ-VTN ) ? 小信号 4.4.1 MOSFET的小信号模型 5. 其它管型 ? ?0 模型相同，参数类似 耗尽型NMOS管 4.4.1 MOSFET的小信号模型 华中科技大学电信系 张林 5. 其它管型 模型相同，参数类似 增强型PMOS管 耗尽型PMOS管 gm始终为正数 4.4.2 用小信号模型分析共源放大电路 共源放大电路 由于小信号模型的参数是建立在静态工作点基础上的，所以分析时必须先求出电路的静态工作点 例4.4.1 VTN=1V 试确定电路的静态值，求MOS管工作于饱和区的小信号电压增益 Av 、输入电阻Ri和输出电阻 Ro 。 例4.4.1 VTN=1V 解：（1）静态工作点 增强型？耗尽型？ 栅源加什么极性偏置电压？ Q点包含哪几个电量？ d和s可否互换？ 直流通路 解：（1）静态工作点 直流通路 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 例4.4.1 VTN=1V 解：（2）动态指标 小信号等效电路 电容和直流电压源对交流相当于短路 例4.4.1 VTN=1V 解：（2）动态指标 模型参数 电压增益 经常当作公式使用 例4.4.1 VTN=1V 解：（2）动态指标 输入电阻 输出电阻 =24 k? =3.9 k? 受静态偏置电路的影响，栅极绝缘的特性并未充分表现出来 例4.4.1 VTN=1V 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 假设在饱和区，根据 例4.4.2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，?=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k?， Rs=0.5k?， Rsi=4k?，Rg1=150k?， Rg2=47k?，确定静态工作点，求动态指标。 解：（1）静态工作点 4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路分析 例4.4.2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，?=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k?， Rs=0.5k?， Rsi=4k?，Rg1=150k?， Rg2=47k?，确定静态工作点，求动态指标。 解：（1）静态工作点 求得 验证 满足 工作在饱和区 小信号等效电路 例4.4.2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，?=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k?， Rs=0.5k?， Rsi=4k?，Rg1=150k?， Rg2=47k?，确定静态工作点，求动态指标。 解：（2）动态指标 例4.4.2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，?=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k?， Rs=0.5k?， Rsi=4k?，Rg1=150k?， Rg2=47k?，确定静态工作点，求动态指标。 解：（2）动态指标 电压增益 输入电阻 ?35.79 k? 源电压增益 放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻 例4.4.2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，?=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k