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第4章光源与光电探测器分析
§4.3.3 光伏探测器 §4.3.3 光伏探测器 §4.3.4 其他光子探测器 光子牵引探测器 光子牵引探测器是一种非势垒光伏效应探测器。它和HgCdTe光电二极管一样适用于10.6μm的激光波长探测。但是HgCdTe光电二极管只能在微弱光信号下使用,而光子牵引探测器则适用于强光探测。因此它广泛用于CO2脉冲激光器输出的探测 这种探测器的优点是响应快,可在损伤阈值高及室温下工作,不需要电源。缺点是灵敏度低,典型器件的单位带宽等效噪声功率为10-3W,只有在强光下才能使用。 P型锗的光子牵引探测器示意图 §4.3.4 其他光子探测器 光电磁探测器 光电磁效应 将半导体置于强磁场中,当半导体表面受到光辐射照射时,在表面产生电子-空穴对,并且浓度逐渐增大,电子和空穴便向体内扩散,在扩散过程中,受到强磁场的洛伦兹力的作用,使空穴和电子的偏转方向相反,从而在半导体内产生一个电场,阻碍着电子和空穴的继续偏转,如果这时将半导体两端短路,则产生短路电流;开路时,则有开路电压。这种现象叫做光电磁效应。利用这种效应制成的光电探测器叫做光电磁探测器(PME器件)。 §4.3.4 其他光子探测器 Josephson结探测器 Pb-PbO-Pb隧道结的伏安特性曲线 在两超导薄膜之间被一层(厚约10?)电介质隔开,这种结构称为Jesephson结,或超导隧道结。若通过隧道结的电流小于某一临界值,在结上没有电位降,则在隧道结的伏安特性曲线中存在一个零电压的电流。若通过隧道结的电流超过临界值,在结上将产生电位降,这时在伏安特性曲线中,将沿着测量负载线跳到正常电子隧道的曲线上,如图4-49所示。这种在隧道结中有隧道电流通过而不产生电位降的现象,称之为直流Josephson效应 §4.3.4 其他光子探测器 若在隧道结上维持一个有限电位降V,在隧道结两超导体之间将有一个频率为f的交流电流通过,频率f和电压V之间有下述关系 E为电子电荷,h为普朗克常数 若隧道结受到光辐射照射时,在一系列分立的电压值上可感应出额外直流电流,则在隧道结的直流伏安特性曲线上,出现常电压-电流阶梯现象。阶梯处电压Vn和外加辐照信号频率f的关系为 n为阶梯级数。产生这种现象的原因是,由于隧道结受到辐射照射时,在结上可感应出交流电压,而这交流电压反过来对结上的Josephson电流进行调制,从而产生许多使电流增大的边带。利用Josephson结效应可研制出从射频到远红外宽广频率范围内、灵敏度为皮瓦的探测器。在射电天文、毫米波通信等方面有实际应用。 §4.4 热探测器 热探测器对辐射的响应和光子探测器不同。它基于材料吸收了光辐射能量以后温度升高的现象,这一现象称为光热效应,光热效应的特点是入射光辐射与物质中晶格相互作用,晶格因吸收光能而增加振动能量,这与光子将能量直接转移给电子的光电效应有本质的不同。光热效应与入射的光子的性质没有关系,取决于入射辐射功率而与入射辐射的光谱成分无关,即对入射辐射的响应无波长选择性 光热效应可以产生温差电效应、电阻率变化效应、自发极化强度的变化效应、气体体积和压强的变化效应等等,利用这些效应可制作各种热探测器。 §1 温差热电偶和热电堆 在用不同的导体或半导体组成的具有温度梯度的电路中,会有电动势产生,这就是温差电势。通过这两点的闭合回路中就有电流流过,这个现象称为温差电效应。 (1)塞贝克(Seebeck)效应 当由两种不同的导体或半导体组成闭合回路的两个结点置于不同温度(两结点间的温差为?T时),在两点之间就产生一个电动势V12,这个电动势在闭合回路中引起连续电流,这种现象称为塞贝克效应。所产生的电动势称为温差电动势,回路称为热电偶或温差电池。 是由于受热不均匀的两节点的接触电位差不同所致 定义温差电动势率为 §1 温差热电偶和热电堆 物理意义:单位温差所产生的电动势的净增量 §1 温差热电偶和热电堆 (2)珀耳帖(Peltier)效应 珀耳帖应被认为是塞贝克效应的逆效应。当电流流过两个不同材料的导体或半导体组成的回路的时,除产生不可逆的焦耳热外,在不同的节点处分别出现吸热、放热现象。这一效应是热力学可逆的。热交换速率与通过的电流成正比,这种现象称为珀耳帖效应。在每一接头上热量流出率或流入率与通过的电流I间的关系可表示为 §1 温差热电偶和热电堆 (3)汤姆逊(Tomson)效应 在单一均质导体或半导体中存在着与珀耳帖效应相同的现象。如果通有电流的材料有温差存在,也就是说,当电流通过具有一定温度梯度的均质导体或半导体时,就会可逆地吸收热或放出热,这一现象称为汤姆逊效应。单位时间单位体积吸收或放出热量为 物理意义:单位温差通过单位电流吸热或放热的速率 §1 温差热电偶和热电堆 光辐射入射到导体或半导体上便产生温度梯度,
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