《无机材料学报》写作及排版规范..docVIP

文章编号: DOI: Al/SnO2/FTO结构双极性电阻开关的制备及其性质研究 赵 飞1,2，徐智谋1,2，武兴会1,2,刘斌昺1，徐海峰1，张学明1 （1.华中科技大学 光学与电子信息学院，武汉 430074；2.武汉光电国家实验室（筹），武汉 430074) 摘 要: 本文通过溶胶凝胶的方法，在FTO衬底上制备得到SnO2薄膜，并对SnO2薄膜的晶体结构以及荧光光谱（PL）进行了研究.XRD结果显示SnO2薄膜为多晶结构，PL结果表明SnO2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷.通过直流磁控溅射在SnO2薄膜上面溅射Al作为顶电极，并对Al/SnO2/FTO结构进行了电阻开关性质研究，测试结果表明器件具有双极性电阻开关性质和良好的阻态保持特性. 对器件的电流-电压曲线特征进行了研究，认为SnO2薄膜内氧离子（氧空位）在电场作用下发生迁移，在Al/SnO2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO2/FTO结构双极性电阻开关行为的原因. 关 键 词: SnO2薄膜；电阻开关；双极性；溶胶–凝胶法 中图分类号: TN303、TN389 文献标识码: A Preparation and Characterization of Al/SnO2/FTO Bipolar Resistive Switching Fei zhao1,2, Zhimou xu1,2