实验二CMOS模拟集成电路设计与仿真..docVIP

模拟集成电路设计实验报告 学生姓名 刘梦曦、 刘敬亚 学 号 2010101012、2010101026 班 级 通 信 101 指导老师 石跃、周泽坤 实验日期 2013年5月25、26日 实验二：CMOS模拟集成电路设计与仿真 一、实验步骤 1、进入虚拟机下的Cadence（虚拟机下linux用户名：xcx 密码：000000） Cadence运行方法： 在linux桌面右键选择新建终端——在终端输入 cd tsmc0_18rfp4_v15 回车——输入lmli 回车——输入icfb 回车 2、在CIW（command Interpreter window）命令框中，点击Tools—— Library Manager，出现LM（Library Manager）窗口 建立一个新的Library：点击File——New——Library，出现New Library窗口；填入Library的名称，点击OK 出现Load Technology窗口，添加工艺文件：选择analogLib，依次选择和添加所需要的器件，并且按照下图连接起来，并根据要求修改它们的参数，再保存，一个完整的电路拓扑图就形成了。 3、由Schematic产生symbol：打开Schematic，点击Design——Create cellview——From cellview，填写上相应的名称，点击OK，即可。 还可以将生成的symbol进行图形上的修改：可用ADD——shape内的各种形状来修饰这个symbol的外观，最后保存。 4、仿真环境Affirma Analog Circuit design Environment的调用。 二、实验结果 图1：OPA内部电路图 图2：OPA Symbol图 失调电压VOS 仿真电路的搭建 仿真条件设置：VDD，VINP调用analogLib中的vdc， VDD：DC voltage=3.3 VINP：DC voltage=1.8 Gnd调用analogLib中gnd 图3：失调电压Vos实际仿真电路图 （2）仿真结果（管子匹配时，失调电压仿真） 图4：管子匹配时失调电压仿真结果 共模输入范围ICMR （1）仿真电路图搭建 图5：ICMR实际仿真电路图 仿真条件设置：VDD，VINP调用analogLib中vdc VDD：DC=voltage=3.3 VINP：DC voltage=1.8 Gnd调用analogLib中gnd （2）仿真结果 图6：ICMR仿真结果 AC GAM和PHASE MARGIN 仿真电路搭建 仿真条件设置：VDD调用analogLib中vdc VDD：DC voltage=3.3 VINP调用analogLib中vsin VINP：DC voltage=1.8，AC magitude=1 C0：调用analogLib中cap Capactiance=100T L0：调用analogLib中ind Inductance=100T Gnd调用analogLib中gnd 图7：AC GAIN和PHASE MARGIN实际仿真图 （2）仿真结果 图8：AC GAIN和PHASE MARGIN仿真结果 共模抑制比CMRR 仿真电路图搭建 仿真条件设置：VDD调用analogLib中vdc VDD：DC voltage=3.3V VINP调用analogLib中vsin VINP：DC voltage=1.8V，AC magitude=1V VINN调用analogLib中vsin VINN：DC voltage=0V，AC magitude=1V gnd调用analogLib中gnd 图9：CMRR实际仿真电路图 （2）仿真结果 图10：CMRR仿真结果 电源抑制比PSRR 仿真电路图搭建 仿真条件设置：VDD调用analogLib中vdc VDD：DC voltage=3.3V，AC magitude=1V VINP调用analogLib中vsin VINP：DC voltage=1.8V Gnd调用analogLib中gnd 图11：PSRR实际仿真电路图 （2）仿真结果 图12：PSRR仿真结果 摆率SR 仿真电路图搭建 仿真条件设置：VDD调用analogLib中vdc VDD：DC voltage=3.3V VINP调用analogLib中vsource Gnd调用analogLib中gnd 图13：SR实际仿真电路图 仿真结果 图14：SR仿真结果 图15：SR仿