DS1802HELCD1602实现万年历和温度显示(不用时间芯片)..docVIP

#includereg52.h #includeintrins.h #include math.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int uchar code table[]=--Figo; //uchar code table1[]=WWW.TXMCU.COM; sbit lcden=P3^4; sbit lcdrs=P3^5; sbit dula=P2^6; sbit wela=P2^7; sbit ds=P1^7; sbit key1=P1^0; sbit key2=P1^1; sbit key3=P1^2; sbit key4=P1^3; int tempValue; int s_1=1000; unsigned char FunKeyFlag=6,keypress; #define key_vaule1 0x01 #define key_vaule2 0x02 #define key_vaule3 0x03 #define key_vaule4 0x04 uchar num; int ms_10=10; int flag=0; int s_1_1=1000; uint sec=55; uint min=9; uint hour=22; uint nian=2014; uint yue=8; uint ri=20; uint xingqi=3; //延时函数, 对于11.0592MHz时钟, 例i=10,则大概延时10ms. void delay_wendu(unsigned int i) { unsigned int j; while(i--) { for(j = 0; j 125; j++); } } //初始化DS18B20 //让DS18B20一段相对长时间低电平, 然后一段相对非常短时间高电平, 即可启动 void dsInit() { //对于11.0592MHz时钟, unsigned int型的i, 作一个i++操作的时间大于?us unsigned int i; ds = 0; i = 100; //拉低约800us, 符合协议要求的480us以上 while(i0) i--; ds = 1; //产生一个上升沿, 进入等待应答状态 i = 4; while(i0) i--; } void dsWait() { unsigned int i; while(ds); while(~ds);//检测到应答脉冲 i = 4; while(i 0) i--; } //向DS18B20读取一位数据 //读一位, 让DS18B20一小周期低电平, 然后两小周期高电平, //之后DS18B20则会输出持续一段时间的一位数据 bit readBit() { unsigned int i; bit b; ds = 0; i++;//延时约8us, 符合协议要求至少保持1us ds = 1; i++; i++;//延时约16us, 符合协议要求的至少延时15us以上 b = ds; i = 8; while(i0) i--; //延时约64us, 符合读时隙不低于60us要求 return b; } //读取一字节数据, 通过调用readBit()来实现 unsigned char readByte() { unsigned int i; unsigned char j, dat; dat = 0; for(i=0; i8; i++) { j = readBit(); //最先读出的是最低位数据 dat = (j 7) | (dat 1); } return dat; } //向DS18B20写入一字节数据 void writeByte(unsigned char dat) { unsigned int i; unsigned char j; bit b; for(j = 0; j 8; j++) { b = dat 0x01; dat = 1; //写1, 将DQ拉低15us后, 在15us~60us内将DQ拉高, 即完成写1 if(b) { ds = 0; i++; i++; //拉低约16us, 符号要求15~60us内 ds = 1; i = 8; while(i0) i--; //延时约64us, 符合写时隙不低于60us要求 } else //写0, 将DQ拉低60us~120us ds = 0; i = 8; while(i0) i--;//拉低约64