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多晶硅电池解析

Best Solar Confidential * 多晶硅太阳能电池 * 太阳能电池简介 多晶硅太阳电池的结构和工作原理 多晶硅太阳能电池的制备工艺 多晶硅太阳能电池的研究现状 多晶硅太阳能电池的发展前景 主要内容 * 世界的能源现状 化石燃料储量正面临逐渐枯竭的危机局面 目前,人类所依赖的能源主要是煤、石油和天然气这些传统能源,而这些能源的储存是有限的,按照目前全世界对化石燃料的消耗速度计算这些能源可供人类使用的时间大约还有: 石油:40-50年,天然气:50-60年,煤炭200-22年 因此必需要发展可再生能源,正如大家都知道的,太阳能是取之不尽、用之不竭的,并且清洁无污染、分布广泛、资源丰富,有望成为人类未来经济发展所依赖的主要能源。 * 太阳能的利用 光热转换 光电转换 化学转换 其中,光电太阳能转换是将太阳能直接转换成电能,是世界各国政府最重视的研究课题之一。在近些年的研究成果的推动下,太阳能电池的成本和效率得到很大的提高,有很好的商业前景,成为具有很强竞争力的绿色能源产业。 * 太阳能电池简介 太阳能电池简介 太阳能电池定义 太阳能电池的分类 太阳能电池工作原理 太阳能电池基本特性 * 什么是太阳能电池? 太阳能电池是根据光伏效应面将太阳能直接转 化成为电能的小型半导体器件。 * 薄膜太阳电池分类 硅基薄膜太阳电池的发展 薄膜电池的光照性能衰退现象 电池光电转换效率的计算 电池片的应用 太阳能电池分类 * 太阳能电池工作原理 太阳能电池的核心 P-N结 * P-N结的形成机理 在一块半导体晶体内,如果p型半导体和n型半导体紧密连接在一起,则它们的交界处就称之为p-n结。 p-n结一旦形成,结两边的电子和空穴的浓度明显不同,会发生扩散,最后在p型半导体的一边出现大量的负电荷,n型半导体的一边出现大量的正电荷,这两种电荷层就在半导体的内部形成了一个内建电场,这个内建电场反过来在结处产生一个内部电压降,阻止电子与空穴的进一步扩散。 由于内建电场从n区指向p区,会使少子产生漂移运动,在没有外电场或激发的时候,参与扩散的多子数目等于参与漂移的少子数目,故达到了动态平衡,电流为零。 * 太阳能电池的光伏效应 光生伏特效应是太阳能电池能量转换的基础。 当光照射到p-n结上时,产生电子空穴对。在半导体内部结的附近生成的载流子没有被复合面是到达了空间电荷区,在内建电场的作用下,空穴流入p区,电子流入n区,结果使p区储存了过剩的空穴,n区储存了过剩的电子。这样在p-n结附近就形成了与势垒方向相反的光生电场。光生电场还使n区带负电,p区带正电,在n区和p区之间的薄层就产生了电动势。会产生光生电流。 * 太阳能电池的基本特性 短路电流:太阳电池的短路电流等于其光生电流。即外电路不接负载时的电流。用Isc表示 开路电压:当太阳能电池处于开路状态时,对应的光电流产生的电动势称之为开路电压。用Uoc表示 输出特性:当负载RL从0变化到无穷大时,输出电压V 则从0 变到VOC,同时输出电流便从ISC变到0,由此得到电池的输出特性曲线。 * I Ioc U Uoc Im Um 太阳能输出特性 转化效率:太阳能电池的转化效率是电池的最大输出功率与入射功率的比值,表示在外电路连接负载电阻最佳时,得到的最大能量转化效率。如果转化效率用η表示 * FF:填充因子,衡量电池好坏的一个重要做指标 Pin:最大输入功率 Pm:最大输出功率 Im:为最大输出功率时对应的电流 Um:为最大输出功率时对应的电压 多晶硅太阳能电池 多晶硅太阳能电池结构和工作原理 多晶硅太阳能电池结构图 * 多晶硅太阳能电池制备工艺 一次清洗制绒 扩散制pn结 湿法刻蚀去背结 PECVD 镀氮化硅膜 丝网印刷电极 烧结 测试 * 一次清洗制绒 目的 去除硅片表面的脏污和机械损伤层 在硅片表面形成绒面结构,增强电池对光的吸收 制绒技术 化学腐蚀技术 反应离子刻蚀 激光刻蚀 电化学腐蚀法 * 扩散制pn结 目的 在 P 型衬底上扩散一层N型杂质,进而形成太阳能电池的心脏--pn结 主要扩散原理: 5POCl3→3PCl5+ P2O5(T>600℃) P2O5+5Si→5SiO2+4P↓ POCl3热分解生成P2O5附着在硅衬底表面,在扩散高温条件下又与 Si 反应生成磷原子和 SiO2 * 湿法刻蚀去背结 由于多晶硅电池扩散不可避免地使电池的四周也扩散了一层 n 型层,要采用湿法刻蚀方法将正反面的p-n结分开。减少漏电流的产生。 目的: 主要原理: 湿法刻蚀的工艺原理与一次清洗的工艺原理相同,只

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