新实验-金属薄膜磁电阻特性综合实验..docVIP

实验x.xx金属薄膜磁电阻综合实验 1988年，法国物理学家阿尔贝·费尔（Albert Fert） 报道了Fe/Cr多层膜在磁场中电阻大幅下降，并称这种效应为巨磁电阻效应（GMR），很快利用GMR效应制作的计算机硬盘读出磁头问世，使计算机硬盘存储密度得到大幅提高。因为各自独立的发现了GMR效应，费尔和德国科学家彼得·格林贝格尔共同荣获了2007年诺贝尔物理学奖。本实验利用四探针方法，测量薄膜的磁电阻效应，研究在磁场中薄膜的电阻变化各向异性磁电阻效应。 【实验目的】 1．了解薄膜材料科学和磁电子学的一些基本概念和知识。 2．了解各向异性磁电阻产生的原理和应用。 3．掌握四探针法测量薄膜磁电阻的方法和原理。 【实验仪器】 亥姆霍兹磁场线圈、四探针组件、HY1791-10S 直流磁场电源、SB118 精密直流电压电流源、PZ158A 直流数字电压表、薄膜样品。 薄膜样品所加磁场由亥姆霍兹线圈提供，磁场可从零线性增加到180，磁场灵敏度可达到0.5；样品放在线圈中心的可调样品台上，线圈可在360度范围内绕样品旋转；四探针组件是由具有引线的四根探针组成，这四根探针被固定在一个架子上 相邻两探针的间距为3 毫米，探针针尖的直径约为200 微米。SB118精密直流电流源是精密恒流源，它的输出电流在1?—200mA范围内可调，其精度为±0.03%。PZ158A直流数字电压表是具有6位半字长、0.1?电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器，分别具有200、2、20、200、1000的量程，其精度为±0.006%。HY1791-10S直流磁场电源的输出电流在0-10安培，其精度为±0.1%。 1－亥姆霍兹线圈 2－四探针装置 3 接线盒 图1 磁电阻测量装置图 【实验原理】 磁电阻效应MR是指物质在磁场的作用下电阻发生变化的物理现象。表征磁电阻效应大小的物理量为MR，其定义为： (1) 其中和分别表示物质在某一不为零的磁场中和磁场为零时的电阻率。磁电阻效应按磁电阻值的大小和产生机理的不同可分为：正常磁电阻效应(OMR)、各向异性磁电阻效应(AMR)、巨磁电阻效应(GMR)和磁电阻效应(CMR)等。 本实验主要测量单层磁性NiFe薄膜的各向异性磁电阻 1．各向异性磁电阻效应 在居里点以下，铁磁金属的电阻率随电流I与磁化强度M的相对取向而异， 称之为各向异性磁电阻效应。即。各向异性磁电阻值通常定义为： (x.x-2) 这里为铁磁材料在理想退磁状态下的电阻率。不过由于理想的退磁状态很难实现，通常取 (3) 则有： (4) 其中表示物质在饱和磁场H中和磁场为零时的平均电阻率。 低温5K时，铁、钴的各向异性磁电阻值约为1，而坡莫合金(Ni81Fe19)为15，室温下坡莫合金的各向异性磁电阻值仍有。 2．金属多层磁性薄膜中的巨磁电阻效应 金属多层磁性薄膜是人为生长的、由金属磁性材料(铁、钴、镍及其合金等)和金属非磁性材料(铜、铬、银和金等)构成的金属超晶格材料。 磁性多层膜巨磁电阻具有如下特点： 数值远比AMR大得多； 随磁场增加呈现负电阻值变化； 磁电阻效应各向同性，只与铁磁层间磁矩的相对取向有关； 磁电阻效应的大小随非磁性层厚度而发生周期性的振荡变化。 GMR出现的必要条件是：电子自旋要“识别”铁磁层间磁矩是平行排列还是反平行排列，这就要求多层膜的周期厚度电子平均自由程。如果非磁层厚度过大，影响到上述条件，则GMR衰减。 磁性多层膜巨磁电阻的理论解释：Mott提出二流体模型对巨磁电阻给予简单的且有说服力的解释, 也是最为广泛应用的模型。图和图为零场及较大外磁场作用下传导电子的运动情况。图1对应着零场时传导电子的运动状态，此时多层膜中同一磁性层中原子的磁矩排列方向一致。但相邻磁层原子的磁矩反平行排列。按照Mott的二流体模型，传导电子分为自旋向上和自旋向下的电子，多层膜中非磁性层对这两种状态的传导电子的影响是相同的，而磁层的影响却完全不同。当两磁层的磁矩方向相反时，两种自旋状态的传导电子在穿过磁矩与其自旋方向相同的磁层后，必然在下一个磁层处遇到与其方向相反的磁矩，并受到强烈的散射作用，宏观上表现为高电阻状态；当外场足够大时，使得磁层的磁矩都沿外场方向排列(图)，则自旋与其磁矩方向相同的电子受到的散射小，而方向相反的电子受到的散射作用强，宏观上表现出低电阻状态。图和图右侧的图表示对应高阻态和低阻态的等效电路图。