第二章常用半导体器件基础解析.ppt

一、三极管的放大作用 二、三极管的伏安特性曲线及工作区域 三、三极管的电流关系 小IB控制大IC，电流控制作用 饱和区 放大区 截止区 IE＝IB＋IC IC＝βIB＋（1＋β）ICBO≈βIB　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 P83 2 —12、2—14 2—15 三、场效应管的主要参数及特点 二、结型场效应管 一、绝缘栅场效应管 第五节 场效应晶体管 1.场效应晶体管：利用输入电压（电场效应）控制输出电流的一种半导体器件。 3.种类 2.为何采用场效应管 三极管缺点：必须有基极电流，所以输入电阻低, 场效应管优点：输入电流为0（或很小），所以输入电阻很高, 结型　　　　　 绝缘栅型 场效应管 JFET MOSFET FET 概述： 又称单极型晶体管：一种多数载流子参与导电。 第五节 场效应晶体管 栅场效应管 第五节 场效应晶体管 P D 一、绝缘栅场效应管 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 简称MOS管——由金属、氧化物、半导体组成。 绝缘层 衬底引线 B G 三个电极 栅极G——基极b 源极S——发射极e 漏极D——集电极C 绝缘栅场效应管——栅极和其它电极隔着绝缘层SiO2 。　 第五节 场效应晶体管 增强型——UGS=0时,无导电沟道。 耗尽型——UGS=0时,有导电沟道。 类型 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 在分立元件中，一般源极和衬底相连，USB为零。 第五节 场效应晶体管 （一）增强型MOS管（N沟道） 1.结构和符号 衬底 G D S B 衬底 G D S B N沟道 P沟道 L M 构道长度 构道宽度 第五节 场效应晶体管 P D 铝 P型硅衬底 S N+ N+ 耗尽层 绝缘层 衬底引线 B G 相当于两个PN结反串 ＋ － ＋ － 剖析局部 N P N UGS=0时,d、s间加电压，无导电沟道 第五节 场效应晶体管 金属板 绝缘层 P型衬底 耗尽层 反型层 　 UGS＞0时,金属层聚集正电荷，排斥衬底里的空穴，剩下负离子，形成耗尽层。 2.导电沟道的形成 ＋ － 　 UGS增大时,电场将电子吸引到半导体表面，形成反型层，即构成导电沟道。 衬底 G B 第五节 场效应晶体管 UGSUGS,th 夹断 UGSUGS,th 导通 UGS,th开启电压（阈值电压、门限电压） + - D G S P型硅衬底 N+ N+ G、S间加电压， UGS0,产生导电沟道 衬底 G D S 第五节 场效应晶体管 两种导电沟道 N沟道 P沟道 两种类型 N沟道绝缘栅场效应管 P沟道绝缘栅场效应管 P型硅衬底 D G S N+ N+ + - 第五节 场效应晶体管 + - UGS P型硅衬底 D G S N+ N+ ID 3.工作电压 栅源间加正压： UGS0，形成导电沟道 漏源间加正压： UDS0，形成漏流ID UDS ＋ － 第五节 场效应晶体管 ①导电沟道呈楔形分布: s端最厚,d端最薄。 UDS使靠漏极的电位高，与栅极G之间的电位差小，所以靠近漏极的UGD小，沟道窄。 可见 + - UGS P型硅衬底 D G S N+ N+ ID UDS ＋ － 栅漏间电压： UGD = UGS - UDS 第五节 场效应晶体管 当导电沟道d端厚度为零, 处于预夹断状态。此时UGD等于UGS,th。 UGD = UGS - UDS 即：UGD=UGS-UDS=UGS,th 此时对应的:UDS=UGS- UGS,th + - UGS P型硅衬底 D G S N+ N+ ID UDS ＋ － 第五节 场效应晶体管 ②输入电阻很高: 由于栅极与源极之间隔着绝缘层, 栅漏极电流（栅流）为0，所以输入电阻RGS很高。 衬底 G D S + - UGS P型硅衬底 D G S N+ N+ ID UDS ＋ － 第五节 场效应晶体管 恒流区 可变电阻区 夹断区 预夹断轨迹 沟道d端夹断时 预夹断轨迹——各条曲线上使uGD=UGS,th的点连接而成 对应的:uDS=uGS- UGS,th 4. 特性曲线 输出特性曲线：uGS一定时，iD~ uDS关系 转移特性曲线：uDS一定时，uGS~ iD关系 （1）输出特性曲线 iD(mA) uDS(V) o UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V UGS= 5V 击穿区 第五节 场效应晶体管 具有放大能力。 漏流iD受栅压uGS的控制，成比例变化。iD不再随uDS增加而增加。