存储器扩展IO扩展[第章].ppt

5.1 半导体存储器的扩展 5.2 MCS-51并行I/O接口的扩展 5.3 LED显示器的设计 5.4 按键和键盘的设计 5.5存储器扩展、动态显示和键盘的实验 5.1 半导体存储器的扩展 5.1.1 半导体存储器基础 内存：磁芯存储器 半导体存储器 外存： 磁表面存储器 光盘存储器 磁鼓、磁带和磁盘 1．半导体存储器的分类和作用 按工艺： 双极型 MOS型(场效应管) 按功能： RAM (SRAM、 DRAM 、SDRAM) ROM (掩膜、 PROM、 EPROM、 FLASH) 近年来：易失性存储器 非易失性存储器 （1）RAM 数据随时读写，读则取之不尽、写则盖旧换新。 按存取方式分：静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）。 （2）ROM存储器 信息掉电不丢失。按编程方式分为三类： 掩模ROM： 工厂批量写入 PROM ： 用户写入，但只有一次。 EPROM： 可被反复擦写的PROM ，按擦除方法又分为： a、紫外光擦洗 UVEPROM； b、电擦洗 EEPROM、（在线改写，字节擦或块擦）； 闪速存储器：存储容量大、擦除和编程速度快。 （3）新型存储器： OTP ROM：是一种新型PROM，已经过测试性编程。 FRAM：非易失性铁电存储器，属未来型。具有DRAM的高集成度和低成本的优点，又有SRAM 的存取速度以及EPROM的非易失性。但其存取周期是有限的，向无限次发展。 nvSRAM：新型非易失性静态读写存储器，由美国96年推出，可靠性高，号称“LOW COST” 新型动态存储器：专门用于大容量的系统机和工作站。 2. 半导体存储器的技术指标 （1）存储容量 存储器能够存储的信息总量. 存储容量=字数╳字长 1K=210=1024 1M=220=1024K 1G=230=1024M 1T=240=1024G （2）最大存取时间 存储器从接收到存储单元的地址开始,到读出或写入数据为止所需要的时间称为存取周期,该时间的上限值称为最大存取时间 （3）存储器功耗 存储器功耗是指它在正常工作时所消耗的电功率.该功率由“维持功耗”和“操作功耗”组成 （4）可靠性和工作寿命 抗干扰能力强、寿命也较长 （5）集成度 指在一块数平方毫米芯片上能够集成的晶体管数目，有时也以每块芯片上集成的基本存储电路个数来表征，故常以位/片表示 3. 半导体存储器的基本结构 半导体存储器由存储阵列、地址译码器、控制电路组成 （1）单译码编址存储器 单译码编址存储器的基本结构与双译码编址存储器结构类似,区别在于:地址译码器的结构不同 单译码编址存储器用于小容量存储器 双译码编址存储器用于大容量存储器 5.1.2 只读存储器ROM 只读存储器具有非易失性和非易挥发性，又称固定存储器或永久存储器，常用于程序存储。 读原理：由地址线先选中相应的字线（为高电平），掩模ROM存储“0”或“1”是由存储单元中各位是否有MOS管决定（有为0，无为1）。 其信息在制造芯片时写入。 （2 ）PROM存储器原理 （4）闪速存储器 1987年首次出现 ，是UVEPROM和EEPROM结合的产物 存储容量不断发展，制造工艺不断提高。 按接口种类划分： 标准的并行接口闪存： 按三总线连接 NAND（与非）型闪存： 引脚分时复用 串行接口的闪存： 通过一个串行数据输入和一个串行数据输出来和CPU接口 2. 典型ROM芯片介绍 （1）UVEPROM Intel 27XX 需要RAM：8K×8 若用2128（2K×8）需4片 若用2116（16K×1）需8片 扩展的容量为：16K×8 片内ROM ( 8031无片内ROM ) MOVC 片外ROM MOVC 片内RAM MOV 片外RAM MOVX 2、存储器与CPU的连接总则 三总线原则 (1)地址总线的连接 地址总线选择某一存储器芯片及芯片内的某一存储单元 P0：低8位地址线 由于P0口具有双重复用的功能，还用来传送数据 需外加一个8位地址锁存器 目前常用的锁存器是74LS 373和Intel 8282 P2：高8位地址总线。 在实际应用中根据扩展存储器的容量需要确定所用的根数。 如：扩展4KB的存储器 则只需用P2口中的低4位口线 (2)数据总线的连接 数据总线实现CPU与存储器的双向数据传送 将P0口与存储器的8根数据线依次相连即可 (3)控制总线的连接 向存储器发出存储器选择及读/写等控制信号 根据选择的存储器类型使用不同的控制信号 Intel 27系列EPROM （169页