新·材料科学基础 第5章2-精.pptVIP

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§5.7-5.10 晶体缺陷 第一节 材料的实际晶体结构 一、多晶体结构 一、多晶体结构 二、多晶体的组织与性能: 三、晶体中的缺陷概论 三、晶体中的缺陷概论 第二节 点缺陷 二、点缺陷的形成 三、点缺陷的表示 四、点缺陷的平衡浓度 五、点缺陷对材料性能的影响 第三节 位错的基本概念 一、位错的原子模型 一、位错的原子模型 一、位错的原子模型 二、柏氏矢量 二、柏氏矢量 四、位错的观察 四、位错的观察 第五节 晶体中的界面 二、晶界 二、晶界 金属界面结构示意图---共格界面 * 材料的实际晶体结构 点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性特征 晶体中的界面 一、多晶体结构 单晶体: 一块晶体材料,其内部的晶体位向完全一致时,即整个材料是一个晶体,这块晶体就称之为“单晶体”,实用材料中如半导体集成电路用的单晶硅、专门制造的金须和其他一些供研究用的材料。 第一节 材料的实际晶体结构 多晶体: 实际应用的工程材料中,那怕是一块尺寸很小材料,绝大多数包含着许许多多的小晶体,每个小晶体的内部,晶格位向是均匀一致的,而各个小晶体之间,彼此的位向却不相同。称这种由多个小晶体组成的晶体结构称之为“多晶体”。 第一节 材料的实际晶体结构 晶粒:多晶体材料中每个小晶体的外形多为不规则的颗粒状,通常把它们叫做“晶粒”。 晶界:晶粒与晶粒之间的分界面叫“晶粒间界”,或简称“晶界”。为了适应两晶粒间不同晶格位向的过渡,在晶界处的原子排列总是不规则的。 第一节 材料的实际晶体结构 伪各向同性:多晶体材料中,尽管每个晶粒内部象单晶体那样呈现各向异性,每个晶粒在空间取向是随机分布,大量晶粒的综合作用,整个材料宏观上不出现各向异性,这个现象称为多晶体的伪各向同性。 组织: 性能: 组织敏感的性能 组织不敏感的性能 第一节 材料的实际晶体结构 晶体缺陷:即使在每个晶粒的内部,也并不完全象晶体学中论述的(理想晶体)那样,原子完全呈现周期性的规则重复的排列。把实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。晶体中的缺陷的数量相当大,但因原子的数量很多,在晶体中占有的比例还是很少,材料总体具有晶体的相关性能特点,而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。 第一节 材料的实际晶体结构 晶体缺陷按范围分类: 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 面缺陷 在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级),另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 点缺陷:在三维空间各方向上尺寸都很小,在原子尺寸大小的晶体缺陷。 一、点缺陷的类型 : 空位 在晶格结点位置应有原子的地方空缺,这种缺陷称为“空位”。 间隙原子 在晶格非结点位置,往往是晶格的间隙,出现了多余的原子。它们可能是同类原子,也可能是异类原子。 异类原子 在一种类型的原子组成的晶格中,不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置。 弗仑克耳缺陷:原子离开平衡位置进入间隙,形成等量的空位和间隙原子。 肖特基缺陷:只形成空位不形成间隙原子。(构成新的晶面) 金属: 离子晶体: 1 负离子不能到间隙 2 局部电中性要求 Kroger-Vink提出了一套描写点缺陷的记号,并发展了应用质量作用定律等来处理晶格缺陷间关系的缺陷化学。以MO为例: 空位 Vacancy VM,VO 间隙原子 Interstitial Mi,Oi 错位原子 MO,OM 溶质原子(外来原子)LM,Li 自由电子及电子空穴 e,,h· 带电荷的缺陷 VM,,,VO·· 第二节 点缺陷 热力学分析表明,在高于0K的任何温度下,晶体最稳定的状态是含有一定浓度点缺陷的状态。此浓度称为点缺陷的平衡浓度。 空位形成能 空位的出现破坏了其周围的结合状态,因而造成局部能量的升高,由空位的出现而高于没有空位时的那一部分能量称为“空位形成能”。 在一摩尔的晶体中如存在n个空位,晶体中有N=6.023X1023个晶格位置,这是空位的浓度为x=n/N,系统熵值为: 空位的出现提高了体系的熵值 设每个空位的形成能为u,空位浓度为x时自由能的变化为: 第二节 点缺陷 第二节 点缺陷 例如: Cu晶体得空位形成能为0.9ev/atom =1.44X10-19J/atom,在500℃时计算可得出平衡空位的浓度为1.4X10-6(很低),而在每立方米的铜晶体存在1.2X1023个空位(数量很多)。 过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡值。如高温下停留

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