真空蒸镀讲义.docVIP

真空蒸镀 真空蒸镀法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到基体表面，凝结形成固态薄膜的方法。由于真空蒸镀法主要物理过程是通过加热蒸发材料而产生，所以又称热蒸发法。采用这种方法制造薄膜，已有几十年的历史，用途十分广泛。 介绍蒸发原理、蒸发源的发射特性、膜厚测量与有关蒸发的工艺技术。 §1—1真空蒸发原理 真空蒸镀的特点、原理与过程 真空蒸镀设备比较简单、操作容易；制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；成膜速率快、效率高，用掩模可以获得清晰图形；薄膜的生长机理比较单纯。主要缺点是，不容易获得结晶结构的薄膜，所形成薄膜在基板上的附着力较小，工艺重复性不够好等。 图1-1为真空蒸镀原理示意图。主要部分有：（1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境；（2）蒸发源或蒸发加热器，放置蒸发材料并对其进行加热；（3）基板，用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜；（4）基板加热器及测温器等。 真空蒸镀包括以下三个基本过程： （1）加热蒸发过程。包括由凝聚相转变为气相的相变过程。每种蒸发物质在不同温度时有不相同的饱和蒸气压；蒸发化合物时，其组分之间发生反应，其中有些组分以气态或蒸气进入蒸发空间。 （2）气化原子或分子在蒸发源与基片之间的输支，即这些粒子在环境气氛中的飞行过程。 （3）蒸发原子或分子在基片表面上的淀积过程，即是蒸气凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜。 上述过程都必须在空气非常稀薄的真空环境中进行。否则，蒸发物原子或分子将与大量空气分子碰撞，使膜层受到严重污染，甚至形成氧化物；或者蒸发源被加热氧化烧毁；或者由于空气分子的碰撞阻挡，难以形成均匀连续的薄膜。 §1-2 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 在真空蒸镀过程中，能否在基板上获得均匀膜厚，是制膜的关键问题。基板上不同蒸发位置的膜厚，取决于蒸发源的蒸发特性、基板与蒸发源的几何形状、相对位置以及蒸发物质的蒸发量。 蒸发源的种类繁多，下面分别介绍几种最常用的蒸发源。 一、点蒸发源 通常将能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源（简称点源）。一个很小的球dS，以每秒m克的相同蒸发速率向各个方向蒸发，则在单位时间内，在任何方向上，通过如图1-2所示立体角的蒸发材料总量为dm，此角度为蒸发源和表面的角度，则有 因此，在蒸发材料到达与蒸发方向成角的小面积dS2的几何尺寸已知时，则淀积在此面积上的膜材厚度与数量即可求得。 图1-2 点蒸发源的发射特性 图1-3 接受角度对淀积厚度的影响 二、小平面蒸发源 如图1-3所示，用小型平面蒸发源代替点源。由于这种蒸发源的发射特性具有方向性，使在θ角方向蒸发的材料质量和cosθ成正比例。是平面蒸发源法线与接收平面dS2中心和平面源中心连线之间的夹角。则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时，膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成θ,则膜材从小型平面dS上以每秒m克的速率进行蒸发时，膜材在单位时间内通过与该小平面的法线成θ角度方向的立体角dw的蒸发量dm为角度方向的立体角dw的蒸发量dm为 式中，是因为小平面源的蒸发范围局限在半球形空间。如图1-3所示，如果蒸发材料到达与蒸发方向成θ角的小平面dS2几何面积已知，则淀积在该小平面薄膜的蒸发速率即可求得。 三、细长平面蒸发源 细长平面蒸发源的发射特性如图1-4所示。下面讨论这种蒸发源的膜厚分布问题。设基板平行 放置于长度为l的细长蒸发源，源一基距为h，与中心点距离S的微小面积为dS，在x – y平面上任意一点（x, y）的微小面积为,当蒸发物质m均匀分布在蒸发源内时，在蒸发源dS面上的质量dm为 这样，就可视dS为小平面蒸发源。所以，可参照式上求出在上得到的蒸发质量为 图1-4细长平面蒸发源的发射特性 图1-5 环状平面蒸发源的发射特性 四、环状蒸发源 为了在宽广面积上得到较好的膜厚均匀性，可以采用环状蒸发源（简称环源）。在实际蒸发中，当基板处于旋转状态时，就与此情况相类似。 五、实际蒸发源发射特性 发针形蒸发源或电子束蒸发源中的熔融材料为球形，与点蒸发源近似。舟式蒸发源中，若蒸发料熔融时与舟不浸润，从舟中蒸发时也呈球形，但位于舟源表面处的蒸发料，使原来向下蒸发的粒子重新向上蒸发，故与小平面蒸发源近似。蒸发料润湿的螺旋丝状蒸源是理想的柱形蒸发源。锥形篮式蒸发源在各圈间隔很小时，其发射特性与平面蒸发源近似。坩埚蒸发源可看成表面蒸发源或高度定向的蒸发源。 §1-3 蒸发源的类型 蒸发源是蒸发装置的关键部件，大多数金属材料都要求在1000~2000℃的高温下蒸发。因此，必须将蒸发材料加热到很高的蒸发温度。最常用