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新手维修电磁炉必看 修理中常见的电磁炉大致分为两类:由LM339(四电压比较器)输出脉冲信号。 1: 触发部分由正负两组电源，管子用PNP\NPN 组成，类似这种电路，后级大多是用大功率 管多个复合而成，组成高压开关部分，在代换中，前一个用带阻尼的行管替代即可。后几个 则很难找到特性一致的管子，解决的办法是在散热器安装孔允许的情况下改用大电流的管子 以减少数量，金属封装得如:BUS13A 等，塑封的如:BU2525/BU2527/BU2532/D3998 一类， 用两个就可以。 * ?/ G t6 N6 _- `, Z 2:功控管用IGBT 绝缘栅开关器件;这些机器特征是不用双电源触发，只有+5V 和+12V,LM339 通过触发集成块TA8316 带动IGBT 这种情况下只能用此一类的管子代替，损坏程度大致为， 只有管子坏，换上即可。其次是整流桥同时损坏，(一般是烧半壁)，在其次是触发集成块 TA8316 坏，连带LM339N 一起损坏的很少见。对于高压模块，由于这方面的参数手册很少， 希望大家搜集转贴，以便代换时参考。 不能贸然更换,最好有示波器先测其G 极波形及幅值 (没有的话用万用表测此点直流电压应在1-2.5 伏之间变化).接上线盘前要确定其它几路小 电源供电正常. 2.1.2 IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称 IGBT,是一种集BJT 的大电流密度和MOSFET 等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速 大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET 输入 跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。 IGBT 有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫 控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源极) 。 从IGBT 的下述特点中可 看出, 它克服了功率MOSFET 的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器 件发热严重, 输出效率下降。 IGBT 的特点: 1.电流密度大, 是MOSFET 的数十倍。 2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 ! u, z8 s1 W/ m ? 6 \5 ^# W 3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo 下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET 的Rds(on) 的10%。 4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~1.8kV 的约1.2us、600V 级的约0.2us, 约为GTR 的 10%,接近于功率MOSFET, 开关频率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR 的30%。 IGBT 将场控型 器件的优点与GTR 的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。 目前458 系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下: 5 p) m: `1 [ q8 i (1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不 带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。 (2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带 阻尼二极管,该IGBT 可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120 的D11 快速恢复二极管 拆除不装。 X V% g3 S/ C7 _7 Y) d( q (3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻 尼二极管, 该IGBT 可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120 时请将原配套该IGBT 的D11 快速恢复二极管拆除不装。 (4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻 尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT 配套 6A/1200V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套 15A/1500V 以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。 (5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻 尼二极管, 该IGBT 可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101,