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第1章自测题、习题解答 自测题1 一、选择题 1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 2. PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 漂移。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 3. N型半导体的多数载流子是电子，因此它 。 A. 带负电荷 B. 带正电荷 C. 呈中性 4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 运动。 A. 只有漂移 B.只有扩散 C.兼有漂移和扩散 5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 。 A.增大 B. 减小 C.不变 解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B 二、判断题 1．PN结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷减少了。（ ） 2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（ ） 3．P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（ ） 4．晶体管有电流放大作用，因此它具有能量放大作用。（ ） 5. 二极管正向偏置时，PN结的电流主要是多数载流子的扩散运动。（ ） 6. 结型场效应管的漏源电压uDS大于夹断电压UP后，漏极电流iD将为零。（ ） 解：1、× 2、× 3、× 4、× 5、√ 6、× 三、二极管电路如图T1－3所示，写出各电路的输出电压值。设uD =0.7V。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) 图T1－3 解： (a) 二极管截止，故uo1 =0V （b）二极管导通，故uo2 =5－0.7=4.3V (c) 二极管导通，故uo3 =3＋0.7=3.7V (d) 二极管截止，故uo4=5V (e) 二极管导通，故uo5 =0.7－3=－2.3V (f) 二极管截止，故uo6 =－3V 四、稳压二极管电路如图T1－4所示，已知DZ1、DZ2的稳定电压分别为UZ1=5V， UZ2 =8V，试求输出电压UO1，UO2。 (a) (b) 图T1－4 解： （a）uo1 =15－UZ1－UZ2＝2V （b）DZ2两端的电压小于其反向击穿电压8V，故DZ2截止，uo2 =0V 五、电路如图T1－5所示，设UCC =10V，?=100，UBE =0.7V，UCES=0V试问： 1. RB =100KΩ，UBB =3V时，IC =？ 解： 2. UBB =2V时，UO =5V时，RB =？ 解： 习题1 1。1 电路如图P1－1所示，设电路中的二极管为理想二极管，试求各电路中的输出电压UAB。 解： D1截止，D2导通，故uAB =6V D1导通，D2截止，故uAB = ?10V 1．2电路如图P1－2所示，设二极管正向导通电压为0V，反向电阻为无穷大，输入电压为ui =10sinωt V，E=5V，试分别画出输出电压uO的波形。 (a) (b) 图P1－2 解： （a）当时，二极管导通，；当时，二极管截止， （b）当时，二极管截止，；当时，二极管导通， 1．3 选择填空 ⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是 元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是 元素。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 ⑵．PN结正向偏置时，空间电荷区将 。 A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 ⑶．场效应管的夹断电压UP=-10V，则此场效应管为 。 A. 耗尽层 B. 增强型 C 结型 ⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 ⑸. N沟道结型场效应管的导电载流子是 。 A. 电子 B. 空穴 C. 电子和空穴 ⑹. 场效应管是一种 控制型器件。 A. 电流 B. 电压 C. 光电 ⑺. N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结 。 A. 应正偏， B. 应反偏， C. 应零偏。 ⑻. 对