晶体缺陷7实际晶体中的位错描述.pptVIP

b 等于单位点阵矢量的称为“单位位错”。 b 等于单位点阵矢量的整数倍的为“全位错” b 不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错” 若堆垛层错发生在部分区域，则层错边缘将存在位错(不全位错) 扩展位错：通常把一个全位错分解为两个不全位错，中间夹着一个堆垛层错的整个位错组态称为扩展位错 a/6[-211]和a/6[-1-12]两个不全位错之间的夹角为60度，它们之间有一斥力，因相斥而分开，中间夹着一片层错，两不全位错加它们中间的层错，便是扩展位错。 两个不全位错之间的宽度d―扩展位错宽度 层错能 层错给予两个不全位错一个吸力 不全位错又存在一个斥力 层错能与扩展位错宽度的关系 　成反比： γ大，d小；γ小，d大。 　如奥氏体不锈钢γ=1.31*10-5J/cm2，d有几十~上百个原子宽度；Al的γ很高，d仅有1-2个原子间距，观察不到。 形成束集所需之能量 不全位错间距缩小 束集附近位错形成弧线增加了应变能 因为位错线增长而增加的能量 不同金属的扩展位错的平衡宽度不同，束集能也各异，夏克和西格测得铝和铜的束集能是： Al: γ刃=0.21eV γ螺=0.11eV Cu: γ刃=3.9eV γ螺=0.84eV 金属层错能愈低，扩展位错宽度愈大，束集愈困难，交滑移愈难。反之层错能愈高，易于交滑移。 由此可以解释FCC金属形变过程中的许多现象。 例如奥氏体不锈钢，层错能很低，交滑移困难，使得即使在大变形量下，位错也只局限在滑移面上。 铝的层错能很高，位错易于通过交滑移，使大部分螺位错滑移到相交的滑移面上，排列成小角晶界。 若两相邻的{112}面沿111方向相对位移a/6111则{112}面的堆垛顺序就发生差错而引起堆垛层错，常见的有以下三种: (一)滑移 如果在D层{112}晶面以上的晶体相对于下面的晶体作a/6111的滑移，就可产生如下的堆垛层错 如果每层{112}面都相对下层{112}面滑移a/6111则就形成如下的孪晶，相当于FEDCBAFABCDEF即以F为中心成对称关系 (二)抽出一层 如果在晶体中抽去DE两层{112}晶面(相当于空位聚集)如图，则产生如下的堆垛层错 体心立方晶体的堆垛层错（抽出层错） A B C F A B 如果在CD之间插入DE两层(112)晶面(相当于间隙原子聚集)，则产生如下的堆垛层错。 (三)插入一层 A B C D D F E E C 体心立方晶体的堆垛层错（插入层错） 对应的罗-希向量 8个Frank分位错的柏氏矢量111 希-希向量 6个压杆位错的柏氏矢量 在汤普森记号中的所有向量均很容易计算出来。例如在(111)面上柏氏矢量为a/2(-1 1 0)的全位错分解，可简便写为： 扩展位错 fcc晶体中的位错线在切应力作用下，沿着（111）[ 1，0，-1 ]滑移系在B层与C层之间滑移，原子由C移至C′有两种途径。 一是由C直接移至C′（即全位错的移动），需提供较高能量。另是先从C经一低低谷至A，再滑至C′位置（相当于肖克莱不全位错的滑动），后者平坦，易进行，但两者效果相同，这个过程可表示为 Ni基(6.7%)超合金中的扩展位错 位错从位于A、B、C处的源出发，沿[110]方向扩展 平衡后，决定了扩展位错宽度 G为材料切变模量；γ为层错能；k是一个决定于分解反应前全位错类型的常数，F= γ时，获得平衡的扩展位错宽度d: 为了降低两个不全位错间的层错能，力求把两个不全位错的间距缩小，这相当于给予两个不全位错一个吸力，数值等于层错的表面张力 （即层错能） 试证明：fcc中两个肖克利不全位错之间的平衡距离ds可近似地由下式给出： 证明：已知两平行位错之间的作用力为F= ； 当一个全位错 [101] 当一个全位错 分解成两个不全位错 [112]+ [21 ]时，两个不全位错之间夹角为60°， 故它们之间的作用力为 F= 此系斥力。 由于两个不全位错之间为一堆垛层错，层错γ如同表面张力，有促进层错区收缩的作用，从而使两个不全位错间产生引力。当F=γ时，两个不全位错到达平衡距离，令d=ds，则 而a为点阵常数，以a≈b易，故 扩展位错的束集 在外应力作用下，扩展位错将发生滑移。如果扩展位错的某些部分在滑移过程中受到阻碍，则扩展位错在这里会收缩成为全位错。 扩展位错的交滑移：首先束集成螺型位错，交滑移，重新分解为扩展位错 在实际晶体中，由于扩展位错的形成，螺位错的交滑移更加困难，必须经束集后才能进行，层错能越低，扩展位错的宽度越大，束集越困难，不易交滑移，因此晶体的变形抗力越大。 扩展位错比全位错交滑移困难得多 在 和 面上有两个全位错b1和b2 面角位错 两个全位错b1和b