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- 2017-01-14 发布于北京
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题型 第一章 晶体结构 四、电导和霍耳效应 迁移率 晶格散射、杂质散射与温度的关系 霍耳效应的原理、实验设置及应用 五、非平衡载流子 多子、少子 非平衡载流子的行为 六、PN结 PN结的能带结构和伏安特性 载流子的行为:正向注入和反向抽取 光生伏特效应 常用公式: 三维 二维 一维 (三维) 本章要求 自由电子模型,自由电子能量和波函数 自由电子的能态密度(一维、二维、三维) T=0时电子的分布,费米能、费米面、费米温度、费米半径、费米速度等概念 Sommerfeld展开式及其应用(求EF和Ce等) 热电子发射和接触电势 金属的导电率、Wiedemann-Franz定律、Hall效应 自由电子论的成功与局限性 基本公式和基本物理量的数量级(n、EF0 、TF和W等) 一、直接带隙半导体和间接带隙半导体 能带结构、光吸收特点(能量守恒、准动量守恒) 二、杂质半导体 掺杂类型(N、P)、施主、受主 能带结构特点及杂质能级位置 类氢杂质能级 三、载流子的费米统计分布 电子和空穴的统计分布规律 有效能级密度 第八章 半导体电子论 七、金属-绝缘体-半导体
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