格林函数与输运描述.doc

《多粒子物理学》读书报告：格林函数与输运 内容提要：1概述； 2单粒子性质的格林函数表述； 3用格林函数推导迁移率中项 1概述 1金属中电子输运特性 对于金属 ， ， 是输运驰豫时间，它的物理意义是处在某动量本征态的电子的平均寿命，即时一个处于某动量本征态的电子在时完全失去了对其原有动量的记忆。输运驰豫时间包括各种相互作用的贡献主要有杂质散射﹑电子-声子相互作用﹑电子-电子相互作用等等： 即输运驰豫时间由各种机构中最小的决定。 绝对零度时，纯金属晶体中电子不受散射，具有无穷大电导。T0时实际金属的电阻是由电子受到杂质和晶格振动的散射引起的。在室温时，典型金属的电阻率约为10-8Ω.m，随着温度降低到室温以下，电阻近似线性地减小（图1,see, p.131 in Ref.[1]），在低温时水平地达到一定值。低温时的电阻率与试样的纯度密切相关，对于高纯度的退火单晶体，约可以达到室温电阻率的10-4倍。不纯试样中的附加电阻在整个温度范围内近似地与温度无关。这个事实叫做马赛厄司定则（Mathiessen rule，又翻译为马提生定则（1862））。这个附加电阻是由于杂质引起的电子散射，在低温下它构成电阻的主要部分。杂质散射电阻与温度无关的事实暗示出可动电子的浓度与温度无关，这与半导体中电子浓度与温度呈指数函数关系大不一样。声子散射电阻依赖于温度，在高温时可变得很大。这两部分电阻具有可加性，因此可分别处理。 上述金属中的杂质不含磁性杂质。磁性杂质的散射将导致低温下电阻值的对数上升，称为近藤(Kondo)效应。 2半导体输运特性 半导体中的散射仍可分为电离杂质和晶格振动的散射两大类。晶格振动的散射又分为声学波和光学波散射两种。声学波通过两种方式散射电子：引起密度变化从而产生形变势（声学声子形变势散射）；在没有反演中心的极性晶体中引起压电极化（压电散射,长声学波明显）。光学波也通过两种方式散射电子：二种不等价原子之间的相对移动所引起的形变势（光学波形变势散射）；在极性晶体中伴随光学波的极化所产生的微扰势（极性光学波散射）。后者只有纵光学波（LO声子）才产生，横光学波不产生。对于离子性晶体，这时电子与LO声子形成极化子（详见后文）。 各种散射机制中，电离杂质散射﹑声学声子形变势散射﹑压电散射中驰豫时间与电子能量的关系可统一地写成[2] 对于不同的散射机构和r有不同的值。电离杂质散射r=3/2；声学声子形变势散射r=-1/2；压电散射r=1/2。光学声子形变势散射形式比较复杂，这里略。对于极性光学声子散射不能有驰豫时间的定义。 对于不同的散射机构，随温度的变化关系不同。电离杂质散射～；声学声子形变势散射～；压电散射～。光学声子形变势散射形式比较复杂，这里略。在低温下值最小，所以低温下主要散射机构是电离杂质散射。典型半导体中各种散射机构下迁移率温度的变化关系如图2（p.135 in Ref.2）所示。 一般地中电子浓度可通过霍尔效应精确测定，叫做霍尔迁移率，它与我们常规定义的电导率迁移率相差一个常数因子。图3(Fig.7.9 in Ref.3)是CdTe霍尔迁移率的温度依赖关系。 3极性光学波散射 长期以来电导问题是用Boltzmann方程处理的[4]。1958年Edward首先将格林函数方法应用于输运问题。Kadanoff和Baym用格林函数方法证明，在金属中只有kFl1时Boltzmann方程才是正确的，这里kF是费米波矢，l是平均自由程。现在格林函数已经用于推导很多不同系统的输运性质，包括Boltzmann方程不适用的情况。格林函数方法的优点是，用它可以推导出输运系数的准确表达式，然后在各种条件下作近似计算。 严格的计算必须同时考虑晶格振动和杂质对电子的散射。单独考虑这两种散射时计算方法非常相近。下面只考虑晶格振动（LO声子）的散射，不考虑杂质散射，电子哈密顿为Frohlich极化子的哈密顿[3] (7.2.1) 其中为LO声子的频率。我们讨论弱耦合()的情况，所以极化子尺寸很大，是所谓的大极化子。 4极化子迁移率理论 有许多关于极化子迁移率的理论[3]，例如 （1）通过求解Boltzmann方程(BE)； （2）通过计算电流-电流关联函数（见后文）； 式中u是(x,y,z)之一，当系统各向同性时所以 。 令则可由电流-电流关联函数得到推迟的电流-电流关联函数。 (久保公式) 说明得到的是直流电导。在久保公式中，为了求直流电导需要先计算交流电导，然后取极限。若开始就从直流电场出发则计算要麻烦一些。久保的上述理论又叫线性响应理论。 （3）通过计算力-力关联函数； 令则可由力-力关联函数得到推迟的力-力关联函数。 力-力关联函数的严格推导是由Mahan给出的。 （4）通过