湿法工艺培训-12.15范例.pptVIP

湿法制程 常见异常 制绒 异常类型： 去重异常、反射率异常、叠片、流片、油污片、指印片、多孔硅残留、扩散后白斑等等 可能的影响： 硅片返工或报废； 电池片外观异常或效率偏低。 常见异常 刻蚀 异常类型： 减薄量异常、叠片、流片、油污片、指印片、多孔硅残留、水印、白点、过刻、漏刻、阴阳片等等 可能的影响： 硅片返工或报废； 电池片外观异常或效率偏低、Trash偏高。 值班工程师工作内容 晋能清洁能源科技有限公司 * 晋能清洁能源科技有限公司 * 谢谢观看！ THANKS! 晋能清洁能源科技有限公司 晋能清洁能源科技有限公司 * 晋能清洁能源科技有限公司 * * 晋能清洁能源科技有限公司 * * THANKS! 谢谢观看！ * 湿法工艺培训 目录 晶体硅电池生产工艺 表面制绒 反射率 边缘及背面刻蚀 影响刻蚀线的因素 药液的激活 湿法制程 常见异常 值班工程师工作内容 晶体硅电池生产工艺 去除边缘PN结 背面抛光 去除正面PSG 去除损伤层 降低反射率 原始硅片 多晶制绒 单晶制绒 制绒 刻蚀 表面制绒 硅片 机械损伤层（10微米） 损伤层的形成→ ←损伤层的去除 损伤层的去除 表面制绒 左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。 很好的织构化可以加强减反射膜的效果 降低反射率 表面制绒 制绒方式： 单晶（拉晶晶向100）碱制绒-各向异性 多晶(无固定晶向)酸制绒-各向同性 其他：RIE、黑硅等等 4%~5% 20%~21% 表面制绒 碱制绒： 原理： 利用低浓度碱溶液的各向异性腐蚀方式（对晶体硅各个晶面腐蚀速率的不同，（111）最慢)，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌； 角锥体四面全是由〈111〉面包围形成； 反应过程：Si+OH-+H2O→SiO32-+H2 表面制绒 多晶制绒---JJC机台简介: 以下为JJC设备多晶制绒工艺流程及各槽主要参数范围： 原则：一化一水 表面制绒 各槽介绍及制绒原理： A.Process Bath： 化学品：HF~~HNO3~~DI； 作用：利用各向同性的腐蚀方式进行表面织构化 机理： HNO3 + SI = SIO2 + NO2 + NO + H2O NO2 + H2O = HNO2 + NO HNO2 + SI = SIO2 + NO +H2O HNO3 + NO + H2O = HNO2 HF + SIO2 = SIF4 + H2O SIF4 + HF = H2SIF6 表面制绒 B.Rinse1\Rinse2\Rinse3： C.Alkaline Bath(喷淋式浸没式): 化学品：主要为DI water； 作用：清洗出制绒槽硅片表面的残余化学品及残留杂质； 作用机理：水压喷淋，物理清洗 化学品：KOH 作用：中和制绒后表面残留的残酸，清洗多孔硅； 作用机理： HF + KOH = KF + H2O HNO3 + KOH = KNO3 + H2O SI + KOH = K2SIO3 + H2O 表面制绒 D.Acid Bath: 化学品：HF，HCL 作用： HCL中和残留硅片表面残留的碱液；去除硅片在切割过程中引入的金属杂质； HF去除在前面过程中形成的SIO2层，以便于脱水； 作用机理： 酸碱中和反应 金属氯化物易溶于水 疏水性 SISIO2 E.Dryer 作用： 热风烘干 HF + SIO2 = H2SIF6 表面制绒 影响反应的因素（主要为制绒槽）： 药液浓度高 药液温度高 滚轮速度慢 药液浓度低 药液温度低 滚轮速度快 各因素共同作用 去重高 去重低 表面制绒 对反射率的影响（主要为制绒槽）： HF比例低 HF比例高 各因素共同作用 反射率高 反射率低 去重高 去重低 可能出现黑绒 反射率 反射： 反射机理-陷光原理 多次反射 光照射到硅片斜面时，反射到另一斜面，反复反射； 每次反射均产生一束反射光和一束折射光，如I0照射在A面时生成反射光I1和折射光I2，I1照在B面时生成反射光I3和折射光I4； 每一次反射都增加一次吸收。 边缘及背面刻蚀 A.Niak机台简介： 以下为Niak刻蚀机台工艺流程及主要工艺参数控制范围； 原则：一化一水 边缘及背面刻蚀 各槽介绍及刻蚀原理： A.Process Bath： 化学品：HF~~HNO3~~DI； 作用：背面及边缘刻蚀，背面抛光 机理：与制绒类似的反应机理，水上漂 HNO3 + SI = SIO2 +