模电第四章分析.pptVIP

* ?n为导电沟道中自由电子运动的迁移率； Cox为单位面积的栅极电容； W 和 L分别为导电沟道的宽度和长度，W / L为宽长比。 * N沟道耗尽型MOSFET * 4.5.3　各种场效应管的比较以及场效应管与晶体管的对比 电路符号 特性曲线 * ［例4.5.1］判断图中场效应管的工作状态。 = IDSS，UDG = UDS - UGS = UDS = UDD - IDRD = 6 (V) - UGS(off) ，所以该场效应管工作在恒流区。图 (b) 中是P沟道增强型MOSFET，UGS = - 5 (V) UGS(th) ，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，UDG = UDD - IDRD - UGS = 4 (V) - UGS(th) ，所以该场效应管工作在可变电阻区。 解：图 (a) 中是N沟道JFET，UGS = 0 UGS(off) ，所以该场效应管工作在恒流区或可变电阻区，且ID * 一、方波，锯齿波发生器 4.5.5　场效应管应用电路举例 　　集成运放A1构成弛张振荡器，A2构成反相积分器。振荡器输出的方波uo1经过二极管D和电阻R5限幅后，得到uo2，控制JFET开关V的状态。当uo1为低电平时，V打开，电源电压E通过R6对电容C2充电，输出电压uo随时间线性上升；当uo1为高电平时，V闭合，C2通过V放电，uo瞬间减小到零。 *