电子线路第二放大电路.ppt

§2.11 场效应管放大电路 场效应管的特点 场效应管与晶体三极管一样具有放大作用， 可以用来组成放大电路。与三极管相比，场效应管有如下特点：  (1) 场效应管是一种电压控制型器件，而晶体三极管是一种电流控制型器件。在场效应管的放大区（恒流区），漏极电流iD的大小受栅源电压uGS的控制；而在三极管的放大区，集电极电流iC的大小受基极电流iB的控制。 2) 场效应管的栅极几乎不取电流， 所以其输入电阻很大。 通常结型场效应管在107Ω以上，MOS场效应管则为108~1010Ω， 高的可达1015Ω。而晶体三极管的基极与发射极之间处于正向偏置，因此输入电阻较小，一般为几千欧的数量级。  (3) 由于场效应管靠多数载流子导电，是一种单极型器件， 所以具有噪声小、温度稳定性好的特点。而三极管靠两种载流子导电，是一种双极型器件， 易受环境温度的影响。场效应管的制造工艺简单，易于大规模集成。特别是MOS场效应管的集成度更高。 (4) 由于场效应管的跨导较小，所以在组成放大电路时， 在相同的负载下其电压放大倍数一般比三极管的要低。 场效应管放大电路的三种组态 (a) 共源放大电路； (b) 共漏放大电路； (c) 共栅放大电路 2.12.1 场效应管的小信号等效电路 如果输入信号很小， 场效应管工作在线性放大区（即输出特性中的恒流区）时，与三极管一样，可用小信号模型法进行等效。  将场效应管看成一个两端口网络，栅极与源极之间视为输入端口，漏极与源极之间视为输出端口。以N沟道耗尽型MOS管为例，可认为栅极电流为零，栅-源之间只有电压存在。漏极电流iD是栅源电压uGS和漏源电压uDS的函数 iD=f(uGS, uDS) 对上式求iD的全微分可得 式中 从场效应管的特性曲线可知，当小信号作用时，管子的电压、 电流在Q点附近变化，因此可认为在Q点附近的特性是线性的， 则gm和rds近似为常数。用正弦相量 取代变化量diD、 duGS、duDS，式可写成 由此可构造出场效应管的小信号模型如图所示。图中栅-源之间只有一个栅源电压 ，没有栅极电流；漏-源之间是一个受电压控制的电流源和电阻rds相并联。 场效应管的小信号模型 (a) N沟道耗尽型MOSFET； (b) 小信号模型 从转移特性求解gm 由转移特性可知，gm是UDS=UDSQ那条转移特性曲线上以Q点为切点的切线斜率。在小信号作用时，可用切线来等效Q点附近的曲线，由于gm是输出电流与输入电压的比值，故称为跨导，其单位为西门子（S）， 一般gm数值约为0.1~20 mS。  对耗尽型MOSFET的电流方程在Q点求导可得gm表达式 该式表明gm与Q点有关，Q点越高，gm越大。 同理，若对增强型MOSFET的电流方程在Q点求导可得gm表达式  从输出特性可知，rds是UGS=UGSQ那条输出特性曲线上Q点处斜率的倒数，它表示曲线的上翘程度，rds越大，曲线越平。通常rds在几十千欧到几百千欧之间，若外电路电阻较小时，可将rds视为开路，即忽略rds中的电流，将输出回路只等效成一个受控电流源。 从输出特性求解rds 2.12.2 等效电路法分析场效应管放大电路 分压式自偏压共源放大电路 由图可知，静态时，由于栅极电流为0，因此电阻Rg上的电流为0。由此可得栅极电位为 由上面的分析可知源极电位为 USQ=IDQRs 则栅源电压 改变Rg1、Rg2、Rs就能改变电路的偏压UGSQ，也就是改变静态工作点。 1.静态工作点 由输出回路可求得： UDSQ=UDD-IDQ(Rd+Rs) 场效应管的电流方程 联立上式 可求得：IDQ、UGSQ。 2． 共源放大电路的动态分析 共源放大电路小信号等效电路 由图可知，电压放大倍数为 式中, RL′=Rd∥RL。由式可见，共源放大电路与共射放大电路一样具有一定的电压放大能力，且输出电压与输入电压反相。 输入电阻为 Ri=Rg+Rg1∥Rg2 电阻Rg的作用是提高分压式自偏压电路的输入电阻，通常情况下RgRg1 , Rg2。 输出电阻为 Ro=Rd 【例】 在分压式自偏共源放大电路中，已知场效应管的参数UGS(off)=-0.8 V，IDSS=0.18 mA，静态工作点处gm=2 mA/