5场效应管放大电路(第五周)摘要.ppt

③ 饱和区（恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： （2）. 转移特性 上节复习 二者的结构和导电原理 结型场效应管JFET (耗尽型） N沟道增强型MOSFET 管 二者的特性曲线及各工作状态的工作条件 栅-源电压vGS对导电沟道的控制作用； 漏-源电压vDS对漏极电流的影响； vGS和vDS同时作用时； JFET的特性曲线 MOSFET的特性曲线 二、 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 1、vGS=0时，有导电沟道，在vDS0条件下有漏极电流iD 2、vGS0时，沟道变宽，iD增大； 3、vGS0时，沟道变窄，iD减小；直至发生夹断（夹断电压VP） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 小贴士3 耗尽型MOSFET可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 二、 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 小贴士4 耗尽型MOSFET的夹断电压VP0,而增强型MOSFET的开启电压VT0。 三、 P沟道MOSFET N沟道增强型 耗尽型 电路符号 vDS0 vT0 vDS0 vT0 增强型P沟道和N沟道区别 可变电阻区条件区别 饱和区条件区别 四、 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 采用沟道调制参数?对此现象引起的电流变化进行修正。 L的单位为?m 修正后 即：vGS固定时，在vDS增加会引起电流iD增加 五、 MOSFET的主要参数 一、直流参数 二、交流参数 1. 输出电阻rds——输出特性曲线某点上切线斜率的倒数 NMOS增强型 当不考虑沟道调制效应时，?＝0，rds→∞ 1. 开启电压VT ——g、s之间所加电压（增强型参数） 2. 夹断电压VP ——g、s之间所加电压（耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS ——d和s间短路条件，g、s之间所加电压时的电阻（109Ω～1015Ω ） 3. 饱和漏电流IDSS —— 时的漏极电流（耗尽型参数） 2. 低频互导gm——反映vGS对iD的控制能力 转移特性曲线上工作点的斜率 考虑到 则 其中 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 5.3 MOSFET放大电路 一、静态工作点的计算 二、图解分析 三、小信号模型分析 1、直流偏置共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 一、静态工作点的计算 静态工作点的计算 2、假设工作在饱和区 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 1、须满足VGS VT ，否则工作在截止区 3、再假设工作在可变电阻区， 即 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 2、带源极电阻的NMOS共源极放大电路 需要验证是否满足 饱和区 稳定静态工作点作用 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 二、图解分析 5.5 各种放大器件电路性能比较 一、各种FET的特性及使用注意事项 二、各种放大器件电路性能比较 一、各种FET的特性及使用注意事项 1、衬底引出； 2、漏极和源极互换条件； 3、栅源电压不可反接；保护装置； 4、焊接注意 二、各种放大器件电路性能比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： 共射 晶体管 场效应管 共源 共极 共漏 共基 共栅 电压增益： 晶体管 场效应管 共射 共极 共基 共源 共漏 共栅 输出电阻： 输入电阻： 5.5 各种放大器件电路性能比较 晶体管 场效应管 共射 共极 共基 共源 共漏 共栅 共射 共极 共基 共源 共漏 共栅 * * 1、什么是场效应管（FET)? 第5讲 场效应管放大电路 2、FET和BJT有什么不同? BJT:电流控制器件；两种载流子； FET:电压控制器件；一种载流子； 工艺不同 利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，也是三端放大器件； N沟道（电子型） P沟道 耗尽型（D型） P沟道（空穴型） P沟道 N沟道 增强型（E型） N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 3、场效应管的分类 第5讲 场效应管放大电路 5.2 金属-氧化物-半导体（MOS）场效