固体电子导论8报告.ppt

处于本征区 或 （3）强电离区 （杂质浓度远大于本征载流子浓度） 温度较高，杂质全部电离 （4）过渡区 （杂质浓度与本征载流子浓度相当） （5）高温本征区（本征载流子远大于杂质浓度） 弱电离区 中间电离区 强电离区 过渡区 本征区 （6）P型半导体 电中性条件 当温度升高，费米能级由施主能级逐渐向禁带中线靠近。从杂质电离过渡到本征激发。 由温度和杂质类型、浓度决定 1. 杂质浓度一定 杂质的类型决定了 的大概位置 n型: p型: 当温度升高，费米能级由受主能级逐渐向禁带中线靠近。从杂质电离过渡到本征激发。 本征 强n型 弱n型 强P型 弱P型 从强P型半导体到强N型半导体，费米能级从受主能级逐渐向施主能级靠近 2. 温度一定 随着浓度 增加， 由 向 靠近。 型： 型： 随着浓度 增加， 由 向 靠近。 §8.4 杂质半导体的载流子浓度 导带中的能级——能级准连续分布，每个状态 上可以容纳两个自旋相反的电子 导带中的电子态数 电子态的占据几率 导带电子浓度 施主能级的电子态数 1. 施主能级上的电子浓度 电子态的占据几率 施主能级电子浓度 电子占据杂质能级的几率 一、杂质能级上的电子和空穴 施主能级——能级孤立且简并，每个能级上 只有一个状态，能容纳一个电子。 施主能级上的电子浓度 电离施主浓度 （施主杂质有 发生电离） （施主杂质几乎没有电离） 费米能级与杂质能级的相对位置反映了杂质电离的程度 （施主杂质几乎全部电离） 2. 受主能级上的空穴浓度 空穴占据受主能级的几率 受主能级上的空穴浓度 电离受主浓度 费米能级与杂质能级的相对位置反映了受主杂质电离的程度 （受主杂质有 发生了电离） （受主杂质几乎没有电离） （受主杂质几乎全部电离） 导带中电子浓度 价带中的空穴浓度 电离施主浓度 电离受主浓度 （以只含一种施主杂质的n型半导体为例） 电中性条件： 问题：求 思路： 电中性条件 费米能级 载流子浓度 二、单一杂质半导体的载流子浓度 电中性条件 少量施主电离，忽略本征激发 （1）低温弱电离区 费米能级： 例如：硅中掺有施主杂质锑 根据导带有效状态密度与温度的关系： 低温弱电离区仅描述温度极低情形下的半导体 导带电子浓度： 将费米能级代入导带电子浓度公式 n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(k) 例如： 施主电离程度增加，忽略本征激发 电中性条件： （2）中间电离区 费米能级： 导带电子浓度： n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(k) 例题：室温下掺锑的n型硅，已知此时费米能级 ，求电子浓度和杂质浓度。 解： 电子浓度： （已知锑的电离能为0.039eV） 根据费米能级的位置判断杂质的电离程度： 半导体处于中间电离区 电中性条件： 杂质浓度： 杂质全部电离，忽略本征激发 电中性条件： （ 远在 之下） （3）强电离区 （又称饱和区） 费米能级： 导带电子浓度： n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(k) 问题：如何确定室温时半导体处于饱和区的浓度范围？ 饱和区，施主杂质电离程度较高≥90% 施主能级上的电子浓度： 未电离施主浓度占总施主浓度的百分比 室温，T＝300K 室温下强电离的浓度上限 同时， 室温下强电离的浓度下限 硅中的磷杂质 在室温下可全部电离 强电离 掺砷的n型Ge 室温，T＝300K 室温下强电离的浓度上限 同时， 室温下强电离的浓度下限 锗中的砷杂质 在室温下可全部电离 （1）低温弱电离区 （2）中间电离区 (讨论较少) ( ，或杂质电离程度) （3）强电离区 （又称饱和区，根据室温下的掺杂浓度范围判断） 问题：在前三个温度区域中，空穴浓度？ 杂质电离和本征激发同时考虑 电中性条件 （4）过渡区 导带电子浓度 价带空穴浓度 n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(k) 多子 少子 过渡区接近饱和区情形 过渡区接近本征区情形 数量相近 费米能级 过渡区的费米能级和载流子浓度也可由下式计算： 电中性条件 以本征激发为主，忽略杂质电离 费米能级接近禁带中线 载流子浓度即为本征载流子浓度 （5）高温本征激发区 n 弱电离区 中间电离区 饱和区 过渡区 本征区 T(k) n型硅: 杂质浓度越高，达到本征激发的温度越高 室温下进入本征区 800K以上进入本征区 1 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 1000 700 500 400 300