场效应器件物理例析.ppt

场效应器件发展 DMOS（LDMOS+VDMOS） * XIDIAN UNIVERSITY * DMOS： Double Diffusion 双扩散MOSFET 功率MOSFET：高电压大电流应用 LDMOS： 在沟道和漏之间增加了一个较长 的低浓度N漂移区，器件耐压增加 VDMOS： 电子从源极穿过水平沟道，经过栅 极下面的积累层， 再通过垂直N-漂 移区流到漏极。 场效应器件发展 新器件1 * XIDIAN UNIVERSITY * intel公司微处理器的发展代表了晶体管新材料和新结构的发展 应变硅(Strained Silicon)技术（90nm开始） High-K和金属栅极（45nm开始） 三栅3-D晶体管（22nm开始） XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY XIDIAN UNIVERSITY 西安电子科技大学 XIDIAN UNIVERSITY 绪论 场效应器件物理 * XIDIAN UNIVERSITY * XIDIAN UNIVERSITY * 现代集成电路人才的知识结构 物理知识：量子力学→固体物理→半导体物理→半导体器件物理 电路知识：数字电路→模拟电路→数字集成电路→模拟集成电路 系统知识：信号与系统→计算机体系结构，通信系统原理，信息处理 工艺知识：半导体工艺原理→材料与封装 工具知识：Cadence/Synophsis/Mentor等开发出的EDA软件工具 逻辑电路级：VHDL 、Verilog HDL 硬件描述语言和分析综合工具 晶体管级：SPICE等电路分析工具 半导体器件物理： 承上启下：有半导体材料知识基础，学习器件结构、原理、特性， 为器件、电路设计提供理论依据 考研和就业笔试和面试必考的科目 * XIDIAN UNIVERSITY * 本课程要求 听课要求 预习教材，记好记录 注重概念原理，兼顾公式数据 先期基础 半导体物理：能带论，载流子输运 双极型器件物理：pn结 教材 D.A Neamen 《半导体物理与器件》 参考书 施敏 《半导体器件物理》、 Richard S. Muller 《集成电路器件电子学》、 Robert F. Pierret 《半导体器件基础》 Chenming Calvin Hu《现代集成电路半导体器件》 考核方式 平时成绩20％ 考试 80％ * XIDIAN UNIVERSITY * 集成电路概况 定义 封装好的集成电路 集成电路芯片的显微照片 集成电路（IC，Integrated Circuits）是微电子技术的核心； IC是电路的单芯片实现 集成电路 ：通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片上，并封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的微结构。 * XIDIAN UNIVERSITY * 集成电路概况 内部电路和版图 酷睿2双核处理器: 65nm工艺，4.1亿MOSFET，1cm2 IC是元器件、互连线的集合 IC的内部电路 或简单或复杂的电路结构 * XIDIAN UNIVERSITY * 集成电路概况 制备 单晶制备 晶圆制备 芯片制备 测试封装 Wafer（晶圆） Chip（芯片） Moore’s Law：Intel公司创始人之一，Gorden E. Moore博士在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系预测 半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年翻一番 1975年又提出修正说，芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番 * XIDIAN UNIVERSITY * 集成电路概况 发展： 摩尔定律 引自Electronics, April 19, 1965. Moore预测曲线的原始手稿 实际发展规律： 芯片上集成的晶体管数量，每隔18个月翻一番 器件尺寸减小，晶圆尺寸增加。 “动态随机存储器DRAM”和“微处理器CPU”两大IC的发展，遵循了摩尔定律。 * XIDI