《折射率椭圆1.docVIP

实验二 电光调制实验 实验目的： 了解、熟悉电光效应(Electro-Optical Effect)。 接触非线性光学(Nonlinear Optics)题材 实验内容： KDP光调制(Electric Optical Modulation; EOM)组基本特性的测量 EOM(Electric Optical Modulator)对频率的响应 实验器材: He-Ne laser Polarizer (P1, P2) Pockels cell (内为KDP晶体) 高压电源供应器 光度计 光具座 示波器 波形产生器 信号放大器 (OP amp) 实验步骤： KDP光调制(EOM)组，基本特性的测量： (1)实验装置图： 图2.1 电光调制实验装置图 (2)依照图2.1的次序，将各光学组件与电路安装完成，且完成光学路径的准直工作。 (3)将Polarizer P2及Pockels cell自支架上移走，旋转Polarizer P1使光感知器读值为最大，此时雷射偏振方线与P1相同。 (4)将P2放入后，旋转P2直到光度计读值最小。 (5)将Pockels cell放入，旋转cell直到光度计读值最小，此时改变输入电压V，并不会改变光度计读值，故可以确定Pockels cell中KDP晶体的光轴与入射光偏振面平行或垂直。 (6)纪录Pockels cell旋转台上的角度后，在顺时针转Pockels cell 450。 (7)由零伏特开始增加输入电压，每10伏特记录光度计读值一次，直到输入电压为400伏特为止。 (8)缓慢的将电压归零，反转输入电压，由零伏特开始下降，每下降10伏特记录光度计读值一次，直到输入电压为-400伏特为止。 (9)将上述数据，绘成T-V的影响曲线。并由图上求得1.Vλ/2 2.V0工作点电压。(Vλ/2 与 V0 参见底下注意事项说明) (10) 估算Pockels cell中KDP晶体的几何结构与尺寸，稍后利用公式推出KDP晶体电光系数值r6z。(参见底下注意事项说明) (11)在（5）的步骤后，架上补偿器，并旋转补偿器，使改变补偿器内部晶体厚度，并不会改变光度计的读值时，将Pockels cell与补偿器都旋转45°，再重复（7）和（8）的步骤。可以发现补偿器可以提供相位，将整个正弦函数图形平移，让输入电压为零时的光读计读值亦为零。 (12) 将直流电压输入改为放大器以及信号产生器，利用补偿器将工作点调为200V，观察各种输入波形所产生的频率响应，和输出信号延迟，并记录输入频率及示波器上的输出电压差。 EOM对频率的响应： 由讯号产生器输出正弦波(sine wave)，经过信号放大器(op amp)放大50倍（电压足以驱动EOM），调整补偿器的光轴与厚度使工作点恰落于线性范围中心。频率每增加10Hz，记录输出的强度，作频率对强度图。 五 实验注意事项 在外加电场的作用下，电光晶体的作用，相当于一个波芯片(waveplate)，当线偏振光通过时，可利用输入电压V改变其偏振状态，及正常光(ordinary light)与非正常光(extraordinary light)二者间的相位差。随外加电场大小而改变，配合其它光学组件，即可改变通过光的强度。 .电光晶体折射率的空间分布： （1）晶体的光学性质，可由折射率椭圆方程式X2/nx2+Y2/ny2+Z2/nz2=1，来描述。当外加电场时，不仅造成原主轴上的折射率大小发生变化，且主轴的方向也可能转动，如此折射率椭球离开了原来的标准位置，需更改成X2/nx12+Y2/ny12+Z2/nz12+2YZ/n42+2XZ/n52+2XY/n62=1来描述。Δ（1/ni2）=ΣrijEj ，rij代表各方向上的电光系数。 （2）假设晶体在某方向上（例如为X轴）有反转对称（即有对称中心），则外加电场Ex，在对称中心的左方与右方，产生大小相等，方向相反的电光效应（总效应为零），使得此轴上的一次电光系数为零。可知，rij中尚存有哪些不为零的项目，直接与晶体的对称性质有关。 2.KDP电光晶体的横向效应： 横向效应所使用的45°－Z切割晶体，取自KDP自然结晶中的部位与方向。 在Z轴方向上加电场，使该晶体变成电致双晶轴晶体，因此晶体是45°切割，所以新建立的光轴X`与Y`即是立方体的边。 现有一平面偏极光，垂直Y`Z平面射入晶体，偏振面与Z轴垂直为45°，当其进入晶体后，因nz≠ny光波将分成Ez与Ey`两分量，当其通过晶体后，二分量间的相位差为δ＝（2π/λ）l*（nz-ny`）=（2π/λ）l*（ne-n0）+（π/λ）（l/d）*n03r6zV。 上式前项与外加电压无关，是由KDP自然双折射效应，所造成的相位移。其后项才是与外加电场成正比的电光效应。