《精》传感器与检测技术霍尔传感器.pptVIP

第七章 霍尔传感器 第一节 霍尔效应 第二节 霍尔元件的基本特性 第三节 霍尔元件的误差及其补偿 第四节 测量电路 第五节 集成霍尔传感器 第六节 霍尔传感器的应用 第一节 霍尔效应 半导体中的电子受洛伦兹力FL的作用： 霍尔常数RH等于材料的电阻率与电子迁移率的乘积，金属材料电子迁移率大，但电阻率很小；绝绝材料电阻率极高，但载流子迁移率极低；只有半导体材料适于作霍尔元件，其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等，这些材料不但有较大的霍尔常数，而且有较好的线性度。其中N型锗容易加工制造，其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好，其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感，尤其在低温范围内温度系数大，但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 KH表示为一个霍尔元件在单位B和电位I时输出霍尔电压的大小。与霍尔常数RH成正比，而与霍尔片厚度d成反比。为了提高灵敏度，霍尔元件常制成薄片形状。 第二节 霍尔元件的基本特性 一、霍尔元件 二、霍尔元件的基本特性 二、霍尔元件的基本特性 霍尔元件主要特性参数： 1. 输入电阻和输出电阻 霍尔元件工作时需要加控制电流，这就需要知道控制电极间的电阻，称输入电阻。霍尔电极输出霍尔电势对外电路来说相当于一个电