PN结机理与特性.pptVIP

当考虑了空间电荷区的产生电流后，PN结的反向电流表达式为 2.3.6 PN结的伏安特性 将正向和反向PN结电流-电压公式结合起来便形成PN结的伏安特性 PN结的伏安特性曲线 2.5 PN结击穿机理与击穿特性2.5.1 PN结击穿机理 热电击穿 PN结加偏压增加，温度上升，反向电流增大，两者循环下去，最终导致反向电流无限增大而发生击穿。 PN结的击穿现象 隧道击穿 隧道击穿是在强电场作用下，由隧道效应使大量电子从价带穿过禁带，而进入到导带所引起的一种击穿现象。又称齐纳击穿。 PN结隧道击穿示意图 雪崩击穿 雪崩击穿示意图 2.5.2 PN结雪崩击穿电压 雪崩击穿条件 单边突变结的雪崩击穿电压 线性缓变结的雪崩击穿电压 2.5.3 影响雪崩击穿电压的主要因素 杂质浓度对击穿电压的影响。 外延层厚度对击穿电压的影响。 PN结形状对雪崩击穿电压的影响。 2.5.4 几种不正常的击穿曲线 软击穿 低击穿 管道型击穿 靠背椅击穿 几种不正常的击穿曲线 2.6 PN结的电容特性2.6.1 PN结的势垒电容 PN结为什么会具有电容效应 PN结的势垒电容 a） 势垒电容充电过程 b）势垒电容放电过程 突变结势垒电容 表达式为 硅突变结CT、Xm与（UD-U）/N0的关系曲线 线性缓变结势垒电容 单边突变结和线性缓变结的势垒电容分别为： 实际扩散结势垒电容 通常用查表法求。 2.6.2 PN结的扩散电容 由电荷在扩散区存储所形成的电容称扩散电容，用CD表示，反应了积累在扩散区中的非平衡载流子电荷随电压的变化规律。 2.7 晶体二极管特性与设计考虑2.7.1 晶体二极管的基本结构 晶体二极管是由一个PN结、制备上相应的电极引线和管壳封装而成的。由P区引出的电极引线为正极，由N区引出的电极为负极。 晶体二极管的几种外形 晶体二极管的基本结构与符号 a） 点接触型 b） 面接触型 c） 平面型 d）二极管的符号 2.7.2 晶体二极管的伏安特性与主要参数 二极管的伏安特性 二极管的伏安特性就是指流过二极管中的电流I与其端电压U之间的关系曲线 二极管的伏安特性曲线 温度对二极管伏安特性的影响 二极管的主要参数 最大整流电流ICM 最高反向工作电压URM 反向电流IR 最高工作频率fM 最大耗散功率PCM 2.7.3 几种特殊二极管 稳压二极管 稳压二极管是一种用特殊工艺制成的硅材料面接触型晶体二极管，它在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路中。 稳压二极管的伏安特性 稳压二极管的伏安特性与符号 a）伏安特性 b）符号 稳压二极管的主要参数 稳压电压UZ 稳压电流IZ 额定功耗PZM 动态电阻rZ 温度系数α 肖特基二极管 肖特基二极管是由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面紧密接触的点接触型二极管，在高速集成电路、微波技术等许多领域中有广泛的应用。 肖特基二极管的伏安特性、结构与符号 a） 伏安特性 b）结构 c）符号 开关二极管 二极管从截止到正向偏压后的导通需要一段时间，称为正向恢复时间。二极管从导通转为截止需要一段时间，称为截止时间。这两个时间的和称为开光时间，开关时间愈短愈好。正向恢复时间一般比反向恢复时间短得多。提高开关速度的途径有：减小正向导通时非平衡载流子的存储量Q；加速存储电荷量Q消失的过程。 发光二极管 简写为LED，是一种将电信号转换成光信号的特殊二极管。 发光二极管的一般结构、管芯、外型和符号 a）磷砷镓发光二极管的管芯 b）封装结构 c）符号 光敏二极管 光敏二极管是一种光能与电能进行转换的器件。PN结型光敏二极管充分利用PN结的光敏特性，将接收到光的变化转换成电流的变化。 光敏二极管的外形和符号 a）常见外行 b）符号 光敏二极管的伏安特性 a） 伏安特性 b）工作在第一象限的等效电路 c）工作在第三象限的等效电路 d）工作在第四象限的等效电路 变容二极管 变容二极管利用了PN结势垒电容可以利用改变反向电压即可改变电容大小的原理。 变容二极管 a）符号 b）结电容与电压的关系 2.7.4 半导体二极管设计考虑与制备范例 参数分析 最大整流电流 最高工作电压 设计考虑 采用N+-P--P+的结构 深扩散缓变结 采用圆锥状台面结构 塑料封装 设计计算 确定高阻层杂质浓度和厚度 确定衬底材料寿命 确定PN结面积 确定扩散深度和表面浓度 1A/2000V 高压整流管的工艺流程 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩