《精》第十章 单晶培养与衍射实验.pptVIP

10.3.2 面探测器的数据收集 根据（3个方位共36张照片）100个以上衍射点在衍射仪测角器直角坐标系中的位置，对其进行指标化（indexing），由倒易点阵得到晶胞参数及取向矩阵（orientation matrix：3×3，规定了三个倒易轴在测角器直角坐标系中的分量和取向，包含了定义倒易晶胞及其空间取向的基本数据。据此可计算每一倒易点阵点的位置，指导整个数据收集过程。） 一般按软件缺省设置可满足大多数晶体衍射数据的收集。 10.3 CCD面探测器与数据收集 CCD image 可能影响衍射数据质量的参数：(Mo Kα) 晶体与探测器间的距离d：50mm（45～55mm） 扫描角度：0.3°（0.2～0.3°） 曝光时间：0.3mm以上含金属化合物 5～10s 小晶体、大晶胞、衍射弱 20～30s 收数据范围：正交以上晶系收?球 一般收半球以上 θmax ≈30°（Mo Kα） 10.3 CCD面探测器与数据收集 10.4 数据的还原与校正 10.4.1 Lp校正 Lp =(1+cos22θ)/sin2θ 10.4.2 标准不确定度（计数统计误差） 10.4.3 吸收校正 是否需做吸收校正取决于μ大小、晶体大小和形状。μ越大、偏离球（立方体）形越明显，吸收校正越重要。 10.4 数据的还原与校正 X-射线通过针状晶体的不同路径示意图 10.4.3.1 数字或晶面指标化吸收校正（numeric or face-indexed absorption correction） 该法需测定晶体外形各晶面的指标，计算各晶面与晶体中一人为指定点的距离，依据晶体的μ做校正。因面探衍射仪带电子摄像头方便观察晶面，并可自动进行晶面指标化，适于数字吸收校正。 10.4 数据的还原与校正 用于数字吸收校正的 晶面指标化典型例子 10.4.3.2 empirical absorption correction 最常用。CCD对上千个点各自在不同位置上进行4～8次测量，吸收校正效果更佳。 10.4 数据的还原与校正 从不同方位扫描一个棱柱状晶体测量得到的衍射强度变化 10.4.3.3 Multiscan Absorption Correction 对选定的一批点在不同方向做多次扫描，作为吸收校正的依据。CCD最常用的一种吸收校正方法，可同时考虑晶体在收数据过程中因风化或潮解引起的强度衰减。 10.4 数据的还原与校正 10.4 数据的还原与校正 10.4.3.4 衍射数据质量的检查与评估 每个非氢原子是否约占17?3的体积； 数据是否达到 hmas/a ≈ kmax/b ≈ lmax/c； 数据分辨率是否达到要求：MoKα，2θmax至少45°，最好大于50°(d = 0.7~0.8)； 独立可观察衍射点数是否超过独立衍射点数的50%； 等效衍射点强度是否接近，若Rint ＞10%表明吸收校正没做好，或定错晶系或晶体质量差； 吸收校正的参数是否合适，按晶体尺寸计算μmax和μmin ，若μmax ＞5 或 (μmax － μmin )＞2，需重做吸收校正。 晶胞参数的标准偏差是否较小。 第十章 单晶培养与衍射实验 结构解析一般步骤 10.1 培养单晶的一般方法 10.1.1 溶液结晶法 缓慢蒸发或冷却 控制成核和生长速度 干净光滑的容器 溶解度适中的溶剂 无震动 不蒸干 10.1.2 界面扩散法 适于两种反应物分别溶于两种不太互溶的溶剂，产物单晶会在界面处生长。 10.1 培养单晶的一般方法 10.1.3 蒸气扩散法 不良溶剂缓慢扩散进入化合物的良溶剂溶液中。 10.1 培养单晶的一般方法 10.1.4 凝胶扩散法 若L和M快速反应（a）单管覆盖（b）插管（c）U形管 常用硅酸钠胶、四甲氧基硅胶、明胶和琼脂等。 10.1 培养单晶的一般方法 10.1.5 水热法、溶剂热法和升华法 水热法和溶剂（有机）热法适于难溶物。程控降温很重要。 升华法适用于易升华物。 10.1 培养单晶的一般方法 10.2 单晶的挑选与安置 10.2.1 挑选原则 准直器内径与晶体大小相当，晶体刚好可沐浴在X光束里。一般固定靶CCD：纯有机物0.1～0.5mm，金属配合物和金属有机化合物0.1～0.4mm，纯无机化合物0.05～0.2mm。 有强吸收效应的晶体，选（或切割成）小的接