磁性物理学(第六章讲稿)分析.ppt

第六章 技术磁化理论 第一节 磁化过程概述 第二节 可逆壁移磁化过程 二、不可逆畴转磁化 在磁化的各阶段，壁移与畴转磁化机制均可能发生。 软磁：磁化的第一、二阶段主要为畴壁位移（第一阶段可逆，第二阶段不可逆）。壁移过程接近完成时，转动磁化才成为主要过程。 永磁：在磁化的第一、二阶段中，转动磁化可能是主要的（尤其单畴颗粒） 对畴转磁化而言： a、H较弱，转动磁化是可逆的 b、H较强，可逆与不可逆的转动都会发生。 不可逆畴转所需H较强，故比不可逆壁移要后出现，二者不会同时发生。 MS θ θ0 o H MS 易轴 a θ o H 易轴 a θ0 b θ o H MS 易轴 a θ0 b a、θ0 π/2,可逆 （不论H多大） b、θ0 π/2,HH0 可逆 c、θ0 π/2,HH0 不可逆 其中H0为由可逆畴转到不可逆畴转的临界场 1、临界场H0 由b图考虑（以单轴晶体为例） P=1 P=2 900 1350 1800 H0 θ0 2、磁化率 对单轴各向异性材料： θ=1650 o H MS 易轴 θ0 300 θ=θ0=1800 易轴 Ms H θ=θ0=900 H Ms 易轴 H Ms θ 由此可见：不可逆转动磁化的磁化率也大于可逆转动磁化的磁化率；相应地，不可逆转动磁化的磁导率也大于