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一、选择题： * 常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。 ( ) 空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。 （ ） 空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。 （ ） 在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。　　 （ ） 在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导 电性能显著增强。 ( ) 在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。 ( ) 在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。 ( ) 在Ｐ型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载 流子。　　　　（　　） 在Ｎ型半导体中，电子是多数载流子，所以Ｎ型半导体带负 电。　　（　　） 当Ｎ型和Ｐ型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使Ｐ区的电子向Ｎ区扩散，使Ｎ区的空穴向Ｐ区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。　（　　） 将Ｐ区接电源正极，Ｎ区接电源负极，此时ＰＮ结处于反偏状态。　（　　） ＰＮ结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。　 （　） PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。 ( ) PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。 ( ) PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。 ( ) * PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。 ( ) 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。　　 　  （　） 晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例 地上升。　 （　　） * 晶体二极管是线性元件。 ( ) 硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。 ( ) 晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。 ( ) 晶体二极管加上正向电压后就会导通。 ( ) * 晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。 ( ) 晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 ( ) 二极管具有单向导电性。 ( ) 由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻大。　 （　　） * 二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。 ( ) 点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极  管。　　 （　　） 小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管常用金属外壳封装。 ( ) 用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接 二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。（　　） 用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则 　　 　 二极管已经短路。 ( ) 硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温 度特性比锗二极管好。（　　） 在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 ( ) 般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。