单片机驱动功率继电器电路分析.docxVIP

数字电路课题报告——接口设计—AT89C51RD2驱动功率继电器专业： 测控技术与仪器 班级： 2011级测控1班 学号： 201100640159 姓名： 马永超 邮件： 996548638@ 手机： 接口设计—AT89C51RD2驱动功率继电器摘要本篇主要介绍应用AT89C51RD2单片机驱动OMRON G4A继电器的两种电路设计，应用TINA PRO软件进行仿真实验，以达到解决AT89C51RD2的输出直流驱动能力很弱，且高电平的驱动能力很低的问题的目的，并总结出低电源电压下51驱动较大电流负载时的驱动电路设计规律。AbstractThis part describes the application of single-chip driver OMRON G4A AT89C51RD2 two relay circuit design, application TINA PRO software simulation, in order to achieve the output of the DC solution AT89C51RD2 weakly driven, low drive capability and high purpose of the question and concluded that the low supply voltage 51 drive high current load driving circuit design rules.关键词AT89C51RD2单片机，OMRON G4A继电器，驱动电路，晶体管引言由于人们生活生产需要，大功率继电器被应用于各种场合，以实现低电平小电流控制高电平大电流器件，各种带电作业工作可以安全高效地进行。而单片机的出现及应用，通过对继电器等的控制，逐渐实现了人们生活生产的自动化、半自动化。但单片机的输出直流驱动能力很弱，因此不能驱动大功率器件，所以需要设计接口电路来满足实际需求。89C51RD2的输出直流驱动能力很弱，且高电平的驱动能力很低。本设计的最佳方案是采用NMOS晶体管驱动。但由于电源电压较低（2.97~3.63）必须使用低开启电压晶体管，同时必须考虑开启电压有很大的工艺波动范围。由于结型晶体管需要的驱动电压较低，NPN驱动也是可能的方案。根据89C51RD2数据手册，低电平输出电流为1.6mA时，输出电压可达到0.45V(Vdd=5, 低电源电压时，情况更坏)，如果环境温度较高，NPN晶体管可能会导通。因此必须降低晶体管的驱动电流而选用较大的晶体管，保证晶体管能够在饱和与关断间工作。正文本篇主要介绍应用AT89C51RD2单片机驱动OMRON G4A继电器的两种电路设计，应用TINA PRO软件进行仿真实验，目的是解决AT89C51RD2的输出直流驱动能力很弱，且高电平的驱动能力很低的问题。1.对两种方案基本原理的介绍。图2 方案2基本电路图1 方案1基本电路 其中，U4为根据数据手册（89c51rd2 datasheet p14）提供的数据（P114，115）建端口的近似模型（接近最坏情况）的等效元件，如下图。图3 51单片机端口等效模型由G4A数据手册知，G4A接12V时，动作电压70%，复位电压10%，因为电阻为160Ω，故需达到额定电流75mA的70%即52.5mA才能使继电器产生动作，低于10%即7.5mA时复位。电子开关1N4148在正向电流时对继电器影响不大，可忽略；反向时，可保护继电器。方案1中，SW1=1（即接3.3V电压）时，U4输出低电平（约为0），远低于MOS管的开启电压，继电器电路断开，电流为零，继电器不动作；SW1=0（即接地）时，U4输出高电平（约为3.3V），高于MOS开启电压，继电器电路闭合，由于MOS的DS极间压降仅约0.3V，故继电器可以达到动作电压，发生动作。方案2中，SW1=1时，由于U4内部结构，AM1测得为负值，同时三极管基极电流很小（约几十pA），基极电压低于180mV，故对继电器电路此时三极管相当于断路，继电器电流约为零，不产生动作；SW1=0时，AM1为正值，且三极管基极电流为uA级，基极电压高于0.7V，三级管导通，继电器电路构成回路且三极管ce极间压降很小（不足0.3V），继电器可以达到动作电压，产生动作。方案2中,基极电流的确定:Ib=VF2/(Rbe//R3)-VF2/R3 ,而VF2/(Rbe//R3)=(V1-VF2)/R2 在继电器正常工作情况下，应有：IL=（1+β）Ib≈75mA （继电器额定电流约75mA）其中R3Rbe,由模电知识知,R3的主要作用是稳定晶体管的静态工作点,且能够分走一部分电流；而R2能起调节I