模电21(MOS电路)分解.pptVIP

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2017-01-17 发布于湖北
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模电21(MOS电路)分解.ppt

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* 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）共源极放大电路直流通路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）假设工作在饱和区，即验证是否满足如果不满足，则说明假设错误须满足VGS VT ，否则工作在截止区 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算（1）简单的共源极放大电路（N沟道）再假设工作在可变电阻区即如果不满足，则说明假设错误假设工作在饱和区满足假设成立，结果即为所求。解：例：设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?，试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算（2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路假设在饱和区需要验证是否满足 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算静态时，vI＝0，VG ＝0，电流源偏置（饱和区） ID ＝I 例：电流源偏置电路Q点分析 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析（1）模型高频小信号模型低频互导 3. 小信号模型分析解：例5.2.2的直流分析已求得：（2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析（2）放大电路分析（例5.2.5） s