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LED基础知识 1、LED的基本特征是什么？何为LED的伏安特性？LED的电功率是如何计算的？ LED是一个由无机材料构成的单极性PN结二极管，它是半导体PN结二极管中的一种，因此其电压?电流之间的相互作用关系，一般称为伏特和安培特性（简称V?I特性）。 当LED上施加了规定的电压Vf和电流If后，可以用下式求出LED上的电功率Pe： Pe＝Vf×If 2、何为LED的电?光转换？如何表述电光转换效率？ 当在LED的PN结两端加上正向偏置时，PN两端就有电流流过。此时，在PN结中，受激发的电子从N型层向PN结（过渡层）移动，而P型层中受激发的空穴也会向PN结移动，电子与空穴在结中复合，产生载流子。由于这是一种从高能级向低能级的跃迁，复合载流子会产生光子，形成发光，这就是人们称之为的电?光转换。 通常，将这种电能到光能的转换，用百分比来表示它的转换效率。假设施加到LED上的电功率为Pe＝Vf×If，此时LED产生的光的功率PLight为，则用下式定义它的电?光转换效率： ηeL＝（Plight/Pe）×100％ 当ηeL＜100％时，说明有相当部分复合载流子并没有产生光子而损耗，成为PN中的热能。LED电?光转换效率越高，PN结上因加置电功率后引起的热量越低，而目前LED的电光转换效率并不是很高，因此仍遇到LED的PN发热和由这一热量引起的种种问题。 ? 3、在通用照明领域，LED取代传统光源从目前来看还须克服哪些障碍？ 发光效率障碍。目前白光LED的光效一般为50lm/W，与荧光灯的效率相比还有一定差距，白光LED用于局部照明，节能效果有限。只有白光LED的发光效率高于荧光灯，达到100lm/W，才会有明显的节能效果。 价格障碍。目前LED光源的价格每流明高于0.1美元，是白炽灯价格的100多倍。 功率LED制作技术。其基本关键技术包括： 提高外研片内量子效率。 提高大尺寸芯片的外量子效率。 提高封装的取光效率。 荧光粉的制作和涂敷技术。荧光粉是LED实现白光照明的关键材料，效率高、显色性好、性能稳定的荧光粉能提高白光LED的出光率和产品质量。 ? 4、什么是半导体？ 根据物质的导电性，固态材料可分为绝缘体、半导体、导体。电导率介于10-8?103S/cm（S：西门子 电导的单位）之间或是电阻率介于108?10-3Ω*cm（Ω：欧姆 电阻的单位）的固态材料称为半导体。半导体分元素半导体（如硅、锗等）和化合物半导体。化合物半导体有二元化合物半导体（如SiC、AlP、GaS）、三元化合物半导体（如AlGaAs、GaInP）、四元化合物半导体（如AlGaInP、GaInAsP）等。能用作LED的半导体材料只有化合物半导体，元半导体不能用LED作的材料。 ? 5、哪些产业是LED产业链的构成部分？ LED产业链大致可分为五部分：原材料；LED上游产业，主要包括外延材料和芯片制造；LED中游产业，主要包括各种LED器件的封装；LED下游产业，主要包括LED的应用产品；测试仪器和生产设备。 外延片相关知识1、什么是外延和外延片？ 外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶（或化合物）衬底材料上淀积一层薄的单晶（或化合物）层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。 ? 2、哪些材料可以用作生长外延层的衬底材料，它们各自有哪些优缺点？ 用得最广泛的衬底材料是砷化镓，可用于生长外延层GaAs、GaP、GaAlAs、InGaAlP，其优点是由于GaAs的晶格常数比较匹配可制成无位错单晶，加工方便，价格较便宜。缺点是它是一种吸光材料，对PN结发的光吸收比较多，影响发光效率。 磷化镓可生长GaP：ZnO、GaP：N、GaAs、GaAlAs：N以及InGaAlP的顶层，其优点是它是透明材料，可制成透明衬底提高出光效率。 生长InGaN和InGaAlN的衬底主要有蓝宝石（Al2O3）、碳化硅和硅。蓝宝石衬底的优点是透明，有利于提高发光效率，目前仍是InGaN外延生长的主要衬底。缺点是有较大的晶格失配；硬度高，造成加工成本高昂；热导率较低，不利于器件的热耗散，对制造功率LED不利。碳化硅衬底有较小的晶格失配，硬度低，易于加工，导热率较高，利于制作功率器件。 ? 3、LED的发光有源层??PN结是如何制成的？哪些是常用来制造LED的半导体材料？ LED的实质性结构是半导体PN结。PN结就是指在一单晶中，具有相邻的P区和N区的结构，它通常在一种导电类型的晶体上以扩散、离子注入或生长的方法产生另一种导电类型的薄层来制得的。 常用来制造LED半导体材料主要有砷化镓、磷化镓、镓铝砷、磷砷化镓、铟镓氮、铟镓铝磷等?Ⅴ族化合物半导体材料，其它还有族化合物半导体碳化硅，?Ⅵ族化合物硒化锌等。 ? 4、MOCVD是什么？ MOCV