半导体雷射技术材料.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 薄膜沉積可以分為三個步驟：成核、核團晶粒聚結以及連續薄膜成長。 第一階段的成核（nucleation），是在晶圓表面形成一個穩定的原子或分子核團。 第二階段為晶粒聚結，又可稱為島成長（island growth）。 第三階段，即成長為連續薄膜，沿著表面延伸形成固態薄膜。 化學性的沉積製程是將氣體來源產生化學反應而在表面沉積薄膜，而在這化學反應當中可以利用加熱的方式，外加能量用以加速反應。 化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)重要的觀念包含了使用化學作用或者熱分解來與外加氣體來源作用，而反應物必須亦為氣相的形式。 物理氣相沉積主要有三種製程：蒸鍍（evaporation deposition）、離子鍍（ion plating）與濺鍍（sputtering deposition）。 蒸鍍是指將蒸鍍源（沉積薄膜的材料來源）加熱蒸發直接凝結於晶圓表面而形成薄膜 離子鍍則是指在材料蒸發之後，在通往晶圓的途中經激發（如離子槍轟擊或輝光放電），使蒸發的原子產生離子化。 濺鍍是利用離子轟擊靶材，擊出靶材原子變成氣相並沉積於晶圓上；濺鍍具有廣泛應用的特性，幾乎任何材料均可沉積。 離子佈植(ion implant)是一種可控制的摻雜導入樣品以改變樣品電特性之方法，其屬於一種物理性製程，在半導體元件中，離子佈植是半導體結構中一項相當重要的技術。 在離子佈植過程中，摻質的帶電離子束撞擊晶圓，當摻雜質加速到獲得足夠的能量後，即可在預定的深度植入薄膜材料，進而改變材料的性質，因此改變原有的電特性。 基本上，此摻質濃度(劑量)是由佈植所使用的離子束電流(離子束內之總離子數)與掃瞄率(晶圓通過離子束之次數)來控制如圖7-25 所示，而離子佈植之深度則由離子束能量之大小來決定。 離子佈植的優點相當多，其中包括 準確控制其摻質濃度 控制離子能量 質量分離技術能產生一不含污染的離子束，不同的材料摻質可被選擇植入，並且在高真空環境下佈植達到高純度低污染 佈植溫度小於125℃，不需高溫製程；摻質可穿透氧化物或者氮化物，這有助於後續製程彈性調整。 離子佈植的缺點為， 摻質離子轟擊表面所造成晶圓晶體結構的損壞，因為當高能量離子進入晶體時，並且與基板原子產生碰撞，能量被轉移造成晶圓中一些原子因此而錯位產生缺陷，這項作用可稱為輻射損壞（radiation damage）。 圖7-26 為離子佈植系統的示意圖。從萃取源所產生的離子包含不同的離子物種，並且其加速度受到萃取電壓影響，因此具有高速度的運動。 金屬製程即為利用化學或者物理性製程在晶圓表面沉積一層金屬薄膜，此製程方式和之前所述的沉積是相互關聯性的，在半導體結構中，金屬負責電訊號的傳遞。 通常金屬製程需要在晶圓上將表面金屬加熱形成至所需的電性介面，稱之為歐姆接觸(ohmic contact)，歐姆接觸具有很低的電阻值(其接面電壓-電流即為歐姆定律)，這對於半導體雷射的操作有很重要的影響，因此在金屬化製程中，金屬材料的挑選與搭配半導體材料是相當重要的。 最廣泛的金屬沉積系統是濺鍍 濺鍍以物理方式轟擊靶材，在晶圓表面沉積原子而形成金屬薄膜。 最常用的三種濺鍍方式為： RF 磁控 離子化金屬電漿 一般而言濺鍍是在電漿中形成離子化的氬氣體，因為氬氣體相當重而且為化學性鈍氣。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半導體雷射技術 盧延昌、王興宗 著 1960 年代，液相磊晶(liquid phase epitaxy, LPE) 氣相磊晶(vapor phase epitaxy, VPE)亦開始發展 在1970 到1980 年代發展出分子束磊晶(molecular beam epitaxy, MBE) 另外一種磊晶技術稱為金屬有機化學氣相沉積(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD) 。 一般而言MOCVD 系統主要由四個部分所組成，如圖7-3所示包括了氣體傳輸(gas blending)系統、反應爐系統、真空(vacuum)系統與洗滌(scrubber)系統，這四個部分皆由可程式邏輯系統所控制。 針對這些製作流程簡述如下： (1) 基板準備 基板大多通常直接向供應販賣商購買，而其標準規格通常包含以下幾項： (i) 傳導種類（conduction type ) (ii) 載子濃度 (iii) 錯位（缺陷）密度（或etch-pit density, EPD) (2) 元件磊晶製作 對於完成的磊晶樣品的材料品質可由以下的量測方法評估： 利用掃描式電子顯微鏡(scanning electron