蒸發镀膜法制备电镜样品.docVIP

实验简介 当前，制样技术已多种多样，如生物试样的超薄切片法，固体材料的表面复型法、机械抛光法、化学浸蚀法和电解抛光法，离子减薄和溅射以及蒸发镀膜法等等。本实验中仅对应用广泛，设备由比较简单的蒸发镀膜法作比较详细的介绍。 本实验的主要目的是掌握真空镀膜机原理、结构和操作，掌握称重法、干涉测厚法计算膜后，制备非晶锗基底上的铟-镓合金镀电镜试样。 ? 实验原理 ???????? 蒸发镀膜制备电镜样品 ???????? 透射电镜样品厚度要在100nm以下，样品过厚，对点子束吸收和散射严重，无法透射成像。而扫描电镜则是对因散射离开试样表面的电子成像，试样可略厚。扫描电镜的样品室常可植入大小的试样，扫描隧穿显微镜研究试样表面的结构和性质时，要在试样和探针针尖之间加一定电压，当试样和针尖的距离小于一定值时，会有量子隧穿电流产生。因此，STM试样表面光洁度要求较高。另外，用扫描电镜研究绝缘体时，为避免试样表面积累电荷，破坏成像质量，先要在试样表面蒸发镀一层导电物质。蒸发镀膜是在高真空条件下的操作，所以先要介绍高真空镀膜的工作原理。 ???????? ???????? 当镀膜室内压强为1.3mPa时，空气分子的自由程达0.5m，比蒸发源到基片的距离（0.1m左右）大得多。因此蒸发原子到达基片的过程中与气体分子碰撞的概率很小，可以认为蒸发源是点源。蒸发材料置放在钨丝做成做成的篮内或钼片做成的舟内，当钨篮或钼舟瞬间通过大电流加热时，待蒸发的材料汽化，其分子以直线轨迹向四周空间射出，沉积到适当的基片表面上，形成薄膜。如果镀膜厚度用δ表示，点源到基片距离为r，则蒸发材料的质量为: ???????? 用干涉法测厚 ???????? 如果在基片与蒸发源之间放一玻片（但不得遮挡基片），并在镀膜前遮挡住一部分玻片，被遮部分就没有膜，从而形成镀膜的界限。入射光线在玻片和膜的上表面发射后发生干涉。设玻片距源距离为，θ＝0，用干涉显微镜观察交界线条纹的位移量d，则膜厚度为 为干涉条纹的平均间距，是光波波长。由于，所以基片上的膜厚。对于厚度远小于光波波长的膜，可采用石英晶体测厚仪。把石英晶体放入镀膜室内，根据晶片上沉积的蒸发材料的厚度与晶体振动频率的关系，计算膜厚。 实验内容 ???????? 镀膜机结构 ???????? 以MD - 200型高真空镀膜机为例，其真空系统如图2.5.1-1所示，机械泵作为前级泵，真空度可达Pa，油扩散泵为高真空泵，真空度达Pa，结构原理见一般真空技术方面的书籍，此处不多作介绍。 ???????? ???????? 电镜样品的基片可以是碳膜、NaCl单晶。待蒸发材料放入钨丝绕制的篮内，钨丝两端接电极。当钨丝通过较大电流（10A以上）时，篮内材料急剧蒸发。挡板是可移动的，在镀膜前要移去挡板。镀膜室的结构如图2.5.1-2所示。 （2） 如欲制备膜（非晶锗基底上的铟镓合金膜），要求Ge膜厚25nm，铟镓合金膜厚23nm。按点源公式计算并分别用分析天平称出相应材料的质量。Ge以及合金分别放在两个篮内。 （3） 在做上述工作同时，可启动机械泵，对扩散泵抽真空，扩散泵达10Pa左右时，接通扩散泵冷却水，并对扩散泵油加热。 （4） 解理一块NaCl单晶，将具有新鲜平整解理面的单晶基片放入真空室内，测量基片到两个钨丝篮的距离和角度。在基片旁叠放两小片玻璃，形成一个台阶，镀膜后，在下片玻璃上形成一个镀膜边界，可用于干涉显微镜测膜厚。 （5） 盖上真空罩。关闭和，开，对真空镀膜室抽低真空。当真空度达10Pa左右时，关，开启和，用扩散泵对镀膜室抽高真空，当达到Pa时，准备镀膜。 （6） 用挡板遮住基片和玻璃片，使连接第一对电极的钨丝逐渐呈暗红色，使该篮内的污物受热挥发出来，真空度也随之下降，再将电极旋钮转到Ⅱ，对连接第二对电极的钨篮及待镀材料进行清洁处理，注意电流不可过大，以致镀材料熔化滴落。当真空度再次达到Pa以后，移去挡板，再根据需要，先蒸发第一（或第二）个钨篮被的材料。这时要戴上深色护目镜，观察钨篮中的待镀材料，先缓慢加大工作电流，钨丝篮发红后，迅速增大工作电流，待镀材料很快蒸发，同时发出耀眼的亮光，透过护目镜看到材料蒸发完毕后，迅速将工作电流减小到零。将蒸发电极旋到另一位置，用同样的方法，将另一个钨篮内的材料蒸发，这样在NaCl晶体的上表面得到合金/半导体双层膜，如果待镀材料中有两种（或两种以上）金属，而它们的熔点相差不太大时，同时蒸发可产生合金膜。 （7） 镀膜完毕后，必须关闭电离规真空计，以防真空度下降烧坏电离规。然后关扩散泵电炉，关，几分钟后逐渐开启，使真空镀膜室暴露大气。当内外压强平衡时，打开真空罩，取出已镀上膜的NaCl晶体片基以及用于测厚的玻璃片，用脱脂棉蘸无水乙醇或丙酮插净真空罩内壁以及真空室，再用吹风机吹