3.5粒狀多晶矽原料的製造.ppt

3.1 太陽電池材料之選定標準 理想的太陽電池材料必須具備有下列特性： 1. 能隙大小最好是落在1.1eV到1.7eV之間，而且以直接能隙(direct bandgap)半導體為佳。 2. 組成的材質必須不具有毒性。 3. 材料取得容易且製造成本低。 4. 可利用薄膜沉積的技術製造之，並可用以製造大面積的太陽電池。 5. 有良好的光電轉換效率。 6. 具有長時期的穩定性。 3.2 矽原料之特性 3.3 多晶矽原料之製造流程(Siemens方法) 3.3.1　冶金級多晶矽原料之製造 3.3.2　三氯矽烷(SiHCl3)的製造與純化  3.3.3　塊狀多晶矽原料的製造：Siemens方法 在所有生產多晶矽原料的技術中，使用SiHCl3當原料是最普遍的。鐘形罩反應爐的操作溫度約在1100℃左右，將細小的矽晶種(如圖中ㄇ字型部份)垂直固定在電極上，加熱並通入原料氣體SiHCl3及H2。在1100℃時，H2會將SiHCl3還原成Si，這些產生的Si便會沉積在晶種上，慢慢長大成為一ㄇ字型多晶棒。 SiHCl3(g)＋2H(g) → Si(s)＋3HCl(g) 通常一根多晶矽棒的生長週期約為一星期左右。將矽多晶棒敲成塊狀，接著通過酸洗、乾燥、包裝等程序後，即成為CZ矽單晶生長或鑄造多晶所使用的塊狀多晶矽原料(chunk poly)。 Simens方法最普遍的製程條件為： (1) 石英反應爐的爐壁溫度要在575℃以下，晶種溫度約1100℃。 (2) SiHCl3與H2的莫耳比率在5～15%之間。 (3) 反應爐的壓力要小於5psi。 (4) 氣體流量要比計算值大，以增加沉積速率及帶走HCl氣體。 3.4 塊狀多晶矽原料的製造：ASiMi方法  3.5 粒狀多晶矽原料的製造 利用流體床反應爐將矽甲烷分解，而分解形成的Si則沉積在一些自由流動的微細晶種粉粒上，形成粒狀多晶矽。 Na＋Al＋2H2 → NaAlH4 H2SiF6 → SiF4＋2HF NaAlH4＋SiF4 → SiH4＋NaAlF4 SiH4 → Si＋2H2 圖3.10為一典型流體床反應爐的示意圖。原料氣體(SiH4)是由底部注入爐內，而細小的矽晶種顆粒則從反應爐的右上方注入。矽顆粒愈長愈大，直到氣體的速率無法支稱其重量時，便自反應爐的底部落下，成為粒狀(granular)矽多晶。  流體床反應爐的操作溫度為575～685℃，產生的粒狀矽多晶的平均大小約為700?m左右。 粒狀多晶矽必須做去氫處理。去氫處理的條件是將粒狀多晶矽在1020～1200℃的熱處理爐中加熱2至4小時。如此可將粒狀多晶矽的氫含量降到20ppma以下。  3.6 太陽能級多晶矽(Solar Grade Polysilicon)的製造技術 冶金級多晶矽(UMG, Upgraded Metallurgical Grade Silicon)純化(Purify)技術，大多是採用物理冶金的方法，去進一步純化金屬級的多晶矽，而達到6N至7N等級的純度。 3.7 多晶矽原料之市場概況 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 第*頁 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 3.1 太陽電池材料之選定標準 3.2 矽原料之特性 3.5 粒狀多晶矽原料的製造 3.3 多晶矽原料之製造流程(Siemens方法) 3.7 多晶矽原料之市場概況 3.4 塊狀多晶矽原料的製造：ASiMi方法 3.6 太陽能級多晶矽(Solar Grade Polysilicon)的製造技術 3.1 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.2 第*頁