7.金属和半导体的接触[精].ppt

第7章 金属和半导体的接触 7.1 金属半导体接触及其能级图 7.2 金属半导体接触整流理论 7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 * 7.1 金属半导体接触及其能级图1 一、功函数和电子亲合能 真空能级E0：真空中静止电子的能量 电子亲和能χ：真空能级与导带底之差（导带底电子逸出体外的最小能量） 半导体中的功函数和电子亲和能 金属中的功函数 功函数： 真空能级与费米能级之差 1、标志电子在材料中束缚的强弱 2、金属功函数随原子序数周期变化；铯：1.93eV, 铂：5.36eV 3、半导体功函数与杂质浓度有关 二、接触电势差 整流 欧姆 欧姆 整流 阻挡层：高阻，整流 反阻挡层：低阻，欧姆 7.1 金属半导体接触及其能级图2 金属和n型半导体接触能带图 表面势：半导体表面和体内的电势差 接触电势差 （Wm Ws） 三、表面态对接触势垒的影响 7.1 金属半导体接触及其能级图3 肖特基势 1、势垒高度与金属功函数基本无关——半导体表面态密度高，屏蔽金属接触的影响，使势垒高度基本只由半导体表面决定 2、即使Wm Ws，阻挡层依然存在 表面态对接触势垒的影响 表面态能级 电子填充水平 = Eg/3 中性 电子填充水平 Eg/3 正电 施主型 电子填充水平 Eg/3 负电 受主型 表面态密度大—“能态海洋” 中性态 EF钉扎 EF钉扎效应 En 能态海洋 四、势垒区的电场、电势分布与势垒宽度（厚度） 金属—n型半导体 泊松方程 7.1 金属半导体接触及其能级图4 空间电荷区类似p+n结 五、肖特基接触的势垒电容 7.1 金属半导体接触及其能级图5 势垒厚度依赖于外加电压的势垒称为肖特基势垒 练习-课后习题3 第七章 金属和半导体的接触 施主浓度ND=10 17cm-3的 n型硅，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.05eV。设WAl=4.18eV, WAu=5.20eV, WMo=4.21eV, 室温下硅的NC=2.8×1019cm-3。 解： 设室温下杂质全部电离，则 故 即 故n-Si的功函数为 因 WAl=4.18eVWs，故二者接触形成反阻挡层 又 WAu=5.20eV, WMo=4.21eV，显然WAuWMoWs 故Au、Mo与n-Si接触均形成阻挡层 作业-课后习题4 第七章 金属和半导体的接触 受主浓度NA=10 17cm-3的 p型锗，室温下功函数是多少？若不考虑表面态的影响，它分别同Al、Au、Pt接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？硅的电子亲和能取4.13eV。设WAl=4.18eV, WAu=5.20eV, WPt=5.43eV, 室温下锗的Eg=0.67eV, NA=6×1018cm-3。 7.2 金属半导体接触整流理论1 ——金半接触整流理论即金属和半导体紧密接触时的阻挡层理论。 考虑电流 平衡态阻挡层——无净电荷流过势垒区 V0,半导体一侧势垒降——电流：金属→半导体（电子：半导体→金属） 且随V增而电流增 V0,半导体一侧势垒增——电流：半导体→金属（电子：金属→半导体） 但随V增而电流变化小←金属一边势垒不随外加电压变化 ——即阻挡层具有类似pn结的整流作用 外加偏压对n型阻挡层的能带图 Vf=0 Vf0 Vr0 一、扩散理论 同时考虑势垒区扩散和漂移电流 ——适用于势垒宽度电子平均自由程 电子通过势垒区要发生多次碰撞 7.2 金属半导体接触整流理论2 7.2 金属半导体接触整流理论3 主要取决于x=0附近的电势值 1 7.2 金属半导体接触整流理论4 平衡态近似:x=0处电子和金属近似处于平衡态；n(0)近似为平衡时电子浓度 1、JSD随电压变化——反向电流密度不饱和 2、适用于势垒宽度电子平均自由程——小迁移率半导体，如氧化亚铜 7.2 金属半导体接触整流理论5 随电压而变化，并不饱和 二、热电子发射理论 7.2 金属半导体接触整流理论6 ——适用于势垒宽度电子平均自由程 电子在势垒区碰撞忽略，势垒高度起决定作用 电流的计算归结为计算超越势垒载流子数目 ) 即为速度空间单位体积中的电子数 则单位体积中E~(E+dE)范围内的电子数为 7.2 金属半导体接触整流理论7 实空间单位体积，速度空间电子的分布 实空间单位面积，单位时间，速度vx(0)的电子都可以到达金半界面，其数目为 可以越过势垒电子的能量要求 电流密度 7.2 金属半导体接触整流