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霍尔效应及应用实验论文 学院：物理科学与技术学院 专业：微电子 姓名：石茂林 学号：1042023058 摘要: 霍尔效应1879年: 霍尔效应 副效应 霍尔电压 直流电压高精度的隔离传送和检测 直流电流高精度的隔离检测 监控量越限时准确的隔离报警 引言:利用霍尔效应电压与磁场的线性关系可知，通过测量元件两端的电压，可以得知空间某区域的磁场分布及其此处的磁感应强度。如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量和信息处理等方面。 正文：通过自己多次到实验室去体验并做了这些试验，本试验共有4个实验--霍尔效应 、直流电压高精度的隔离传送和检测、直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。现在把实验内容及其结论在下面做详细介绍： 一、霍尔效应试验 实验目的：认识霍尔效应并懂得其机理；研究霍尔电压与工作电流的关系；研究霍尔电压与磁场的关系；了解霍尔效应的副效应及消除方法。 实验原理：霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转元件，如图所示 图1.1 霍尔效应磁原理 图1.2 霍尔效应磁电转换 在磁场不太强时，电位差与电流强度I和磁感应强度B成正比，与板的厚度d成反比，即(1.1)或 (1.2)式（1.1）中称为霍尔系数，式（1.2）中称为霍尔元件的灵敏度，单位为mv /(mA·T)。如图1.1所示，一快长为l、宽为b、厚为d的N型单晶薄片，置于沿Z轴方向的磁场中，在X轴方向通以电流I，则其中的载流子—电子所受到的洛仑兹力为(1.3)。即得 (1.5)此时B端电位高于A端电位。若N型单晶中的电子浓度为n，则流过样片横截面的电流I=nebdV(1.6) 得 (1.7)将(1.6)式代入(1.5)式得 (1.8)式中称为霍尔系数，称为霍尔元件的灵敏度，一般地说，愈大愈好，以便获得较大的霍尔电压。 由（1.8）式可知，如果霍尔元件的灵敏度已知，测得了控制电流I和产生的霍尔电压，则可测定霍尔元件所在处的磁感应强度为。霍尔效应实验电路如图所示。 实验内容及数据处理: 已知参数b=4.0mm, d=0.5mm, =3.0mm. 设，其中K=6200GS/A； 研究霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系的数据及处理： 研究U H--- I H关系 研究U H--- BH 关系 I M(A) 0.300 0.100 0.200 0.300 0.400 I H(mA) 2.00 4.00 6.00 8.00 4.00 U1(mV) -2.21 4.33 -6.71 8.65 -1.57 2.89 -4.46 5.55 U2(mV) 2.23 -4.31 6.72 -8.84 1.58 -2.89 4.45 -5.55 U3(mV) -2.14 4.45 -6.49 8.97 -1.45 3.02 -4.32 5.91 U4(mV) 2.15 -4.47 6.46 -8.95 1.42 -3.01 4.33 -5.92 U H mV） 2.10 4.21 6.12 8.23 1.51 2.94 4.40 5.88 B(Gs) 1080 1080 1080 1080 360 720 1080 1440 有基本原理可得：U H-1=(|U1|+|U2|+|U3|+|U4|)/4=2.10mA B1=B0/A* I M=3600*0.300=1080Gs 同理可求其它的值并将结果填在表中。 按作图法要求作出霍尔电压与工作电流霍尔电压与磁场的关系曲线： 实验分析及结论:本实验采用数字仪表控制,所以相当精确；不过还是存在不等势效应、埃廷斯豪森效应和能斯特效应等副反应影响实验结果。 但是该实验总的来说还是验证了霍尔电压与霍尔元件工作电流直螺线管的励磁电流间成线性的关系若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,对测量结果会有何影响？如何用实验的方法判断B与法线方向是否一致？若磁场不恰好与霍尔元件的法线一致,则霍尔片通过电流时,载流子的偏转就会偏法线方向,而使测的电位差不是真的霍尔电位差,从而造成测量的系统误差朝两个方向偏转霍尔元件的方向，如电位差都减小，说明B与法线方向一致。 当被传电压UIN通过R的电流IIN在初级线圈N1产生的磁通量与霍尔电压经放大而形成的次级电流I0通过次级线圈N2所产生的磁通量平衡时，有IIN *N1= I0* N2，因此刺激电流I0将精确的反映出触及电流IIN，I0在W2上的电压降U0将精