霍耳效應及其应用.docVIP

霍耳效应及其应用 加灰色底纹部分是预习报告必写部分 实验项目类型：基础验证性 置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普金斯大学研究生霍耳于1879年发现的，后被称为霍耳效应。如今霍耳效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用该效应制成的霍耳器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍耳器件，将有更广泛的应用前景。熟悉并掌握这一具有实用性的实验，对日后的工作将是十分必要的。 【实验目的】 1．了解霍耳效应实验原理以及有关霍耳器件对材料要求的知识。 2．学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的 和曲线。 3．测量电磁铁空气隙中的磁场分布。 【实验原理】 1．霍耳效应： 霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场，即霍耳电场。如图1所示的半导体试样，若在方向通以电流 ，在方向加磁场，则在方向即试样 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试样的导电类型。对图所示的型试样，霍耳电场逆方向，的型试样则沿方向。即有： 显然，霍耳电场是阻止载流子继续向侧面偏移，当载流子所受的横向电场力与洛仑兹力相等，样品两侧电荷的积累就达到动态平衡，故有： （1） 其中为霍耳电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度。 设试样的宽为，厚度为，载流子浓度为 ，则： (2) 由（1）、（2）两式可得： (3) 　　即霍耳电压（电极之间的电压）与乘积成正比与试样厚度成反比。比例系数称为霍耳系数，它是反映材料霍耳效应强弱的重要参数。只要测出以及知道、（特斯拉）和可按下式计算 ： （4） 上式中的 是由于公式中磁感应强度用电磁单位（特斯拉）。 2．霍耳系数与其它参数间的关系： 根据可进一步确定以下参数： （1）由的符号（或霍耳电压的正负）判断样品的导电类型。判别的方法是按图1所示的和的方向，若测得的即点点电位高于点的电位，则为负，样品属型；反之则为型。 （2）由求载流子浓度。即。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，严格一点，如果考虑载流子的速度统计分布，需引入的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。 3．霍耳效应与材料性能的关系：　　 根据上述可知，要得到大的霍耳电压，关键是要选择霍耳系数大（即迁移率高、电阻率亦较高）的材料。因，就金属导体而言，和均很低，而不良导体虽高，但极小，因而上述两种材料的霍耳系数都很小，不能用来制造霍耳器件。半导体高，适中，是制造霍耳元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所以霍耳元件多采用型材料，其次霍耳电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍耳元件的输出电压较片状要高得多。就霍耳器件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用来表示器件的灵敏度，称为霍耳灵敏度，单位为。 4．霍耳电压的测量方法： 值得注意的是，在产生霍耳效应的同时，因伴随着各种副效应，以致实验测得的两极间的电压并不等于真实的霍耳电压值，而是包含着各种副效应所引起的附加电压，因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后，分别测量由下列四组不同方向的和组合的（两点的电位差）即： ， ， ， ， 然后求、、和的代数平均值： （6） 通过上述的测量方法，虽然还不能完全消除所有的副效应，但其引入的误差不大，可以忽略不计。 【实验仪器】 型霍耳效应实验仪 1 套 。 【实验内容】 测定励磁电流和磁感应强度的关系： 测绘曲线 测量励磁电流与的关系。（测量电磁铁的磁化曲线），把各相应连接线接好，闭合电源开关。， （为了避免学生接线错误，把电磁铁的励磁电流错接到霍尔元件上,仪器设计时,特地用四种不同的多芯插座和专用电缆连接，其中继电器电源用三芯线，霍尔元件工作电流用二芯线，励磁电流用两根香焦插头连接线，霍尔电压与半导体体电阻压降用四芯接线。）调节霍尔传感器位置，使霍尔传感器在电磁铁气隙最外边，离气隙