P型氧化锌薄膜制备及其电导率研究[精].docxVIP

p型氧化锌薄膜制备及其导电率研究摘要：总数了近年来p型氧化锌薄膜制备的研究现状，介绍了单元素和双元素掺杂以及其采用的主要方法，这些方法包括热蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法、低温水解法、离子束增强沉积法、脉冲激光沉积法和磁控溅射法等。探讨了掺杂后产生的在光电磁方面的新特性。对p型氧化锌薄膜未来的发展进行了分析和预测，制备稳定、低电阻率和高载流子浓度的p型氧化锌薄膜将是今后研究的重点。关键词：氧化锌；p型掺杂；低电阻率引言ZnO是一种新型的宽禁带氧化物半导体材料，具有压电、热电、气敏、光电等多种性能。早期对氧化锌材料的研究主要集中在透明点击、气敏和压敏传感器以及变阻器等领域，因此关于ZnO作为一种新型半导体光电材料的研究仍是一个十分前沿的课题。[1]ZnO在室温下具有宽带隙能3.37eV，大激子结合能60meV以及高光增益320cm-1等特点，使其成为了一种广泛应用于短波光电器件中的半导体材料，例如紫外和蓝光发光二极管以及LDs等，合成高质量的n型和p型ZnO是提高其在光电器件中应用前景的关键步骤。纯ZnO为本征n型半导体，存在着六种形态的本征施主缺陷：锌空位VZn、氧空位VO、间隙锌Zni、间隙氧Oi、反位锌ZnO、反位氧OZn，对守住掺杂产生高度自补偿租用，还有深受主能级和掺杂元素的固浓度低等原因，掺杂后基本都是n型导电，难以实现p型导电，从而限制了ZnO在光电器件中的实用化。[2]因此如何使制备工艺具有可重复性，同时如何进一步提高p型ZnO薄膜及其同质p-n结的性能将是该领域的主要研究方向。[1]根据理论分析，在富氧的情况下VZn有较低的形成能，并且它在ZnO中是作为受主存在的，也可用过量的氧消除氧空位的自补偿效应，因此实现p型ZnO掺杂的主要途径有：（1）将少量ⅠA族元素取代Zn原子；（2）将ⅤA族元素掺入氧空位；（3）将ⅠA族元素与ⅦA族元素共掺杂或ⅤA族元素与ⅢA族元素共掺杂入ZnO。近几年来制备p型ZnO取得成功的粒子都是围绕以上途径进行研究的结果。本文综述了近年来ZnO材料p型掺杂改性研究所取得的进展，及对掺杂后表现出的光电磁特性以及p型稳定性等特性做了评述。单元素掺杂ⅠA族元素掺杂（Li，Na和K）理论上，ⅠA族元素掺入到ZnO中能得到浅受主，从而使掺杂后的ZnO呈p型导电状态。目前研究的最多的ⅠA族掺杂元素有Li，Na和K。王相虎等人将含Li（原子数分数为2%）的锌锂合金薄膜在500℃氮气氛中退火2h，然后在700℃氧气氛下退火1h得到了p型Li掺杂的ZnO薄膜。分析认为在ZnO:Li薄膜中，由于Li替代了部分Zn，并占据了Zn的晶格位形成了LiZn受主，使样品表现出p型导电特性。A.Saaedi等人用热蒸法在Si基底上生长了Li掺杂ZnO纳米线，与同样条件制备出的纯ZnO相比Li掺杂的ZnO产生紫外吸收红移的现象，紫外吸收红移表明ⅠA族元素在ZnO晶格中的受主行为，I-V曲线分析进一步说明Li掺杂ZnO具有稳定的p型导电特性，可用于制造光电器件。邱智文等人采用高压脉冲激光沉积法制备了Na掺杂ZnO纳米线，在低温光致发光谱中，观测到了一系列由Na掺入ZnO引起的受主光谱指纹特征，如中性受主束缚激子峰、导带电子到受主峰和施主受主对发光峰等。测得的I-V曲线具有明显的整流特性，说明Na掺杂ZnO纳米线具有良好的p型导电性能。W.Ko等人以硝酸钠、硝酸锌和环六亚甲基四胺为原料，用低温水热法制备了c轴取向的Na掺杂ZnO纳米线。随着掺杂量在1~15mol范围内降低，（002）面衍射峰向低角度迁移。采用低温（10~300K）PL谱进一步证实了样品的p型导电性能，清晰的激子跃迁至深受体(ADOX)与LO声子复型现象相符。Y.B.Huang等人采用射频磁控溅射法制备了具有室温铁磁性的K掺杂ZnO外延薄膜，当钾的摩尔分数增大到6%时ZnO薄膜从n型转变到p型。实验和理论计算表明K掺杂ZnO中位于氧位的未成对的2p电子之间强烈的相互作用以及空穴诱导产生了铁磁性。ⅤA族元素掺杂（N，P，As和Sb）经实验和理论计算推断ⅤA族掺杂的ZnO导电薄膜可形成VZnA-2VZn络合物受主，从而使掺杂ZnO呈p型导电性质。N的半径与O相近，在ZnO中能形成较浅的受主能级，因此选择N掺杂制备p型氧化锌的研究很多。矫淑杰等人采用高纯金属锌作为Zn源、NO作为O源和掺杂源，用等离子辅助分子束外延法在蓝宝石c平面上生长了p型ZnO薄膜，其载流子浓度最大可达1.2×1019cm-3，迁移率为0.0535cm2/(V·s)，电阻率为9.5Ω·cm。结果表明NO等离子体源产生激活的N原子替代O原子掺杂，成为有效的受主，使ZnO导电特性由n型向p型转变。S.Dhara等人用射频磁控溅射热退火处理在Si、石英和Al基底上生长了N掺杂p型氧化锌薄膜。研究发现N