大学毕设论文-中英文文献翻译ipmc致动器驱动的无阀微型泵设计及其在低雷诺数下的流量估计.docVIP

大学毕设论文-中英文文献翻译ipmc致动器驱动的无阀微型泵设计及其在低雷诺数下的流量估计.doc

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附录 外文文献翻译 外文原文 中文翻译 IPMC致动器驱动的无阀微型泵设计及其在低雷诺数下的流量估计 Sangki Lee and Kwang J Kim 活性材料和加工实验室,机械工程学院,内华达大学 摘要 本文介绍了由IPMC (离子高分子金属复合材料)驱动器驱动的无阀微型泵的设计和流量估计。应当指出的是,对于微型泵应用来说,IPMC是一种非常有前途的材料,因为它可以用低输入电压控制并产生较大的存储容量,同时可以对流速进行控制。使用IPMC的微型泵制造工艺简单;可以预计IPMC微型泵的制造成本与其他技术相比是非常有竞争力的。为了有效地设计一个作为微型泵的驱动马达的IPMC隔膜,利用有限元分析(FEA)对IPMC隔膜的电极形状进行优化并且对他的存储容量进行估计。此外,利用数值研究泵室压力对存储容量产生的影响。同时也研究无阀微型泵的适当的进出口,喷嘴/扩散元件。以选定几何形状的喷嘴/扩散元件和IPMC隔膜的估计存储容量为基础,在50左右的低雷诺系数下对微型泵的流量进行估计。 介绍 微型泵是非常有吸引力的设备,因为它们可以被用来作为配药治疗器具,冷却微电子系统,发展微小全分析系统,推进微型航天器等[1-3]。 对于这样的各种各样的应用,许多类型的微型泵已经开发,但一般分为两类:机械微型泵(即压电式,静电式,热气动式,磁式等)和非机械微型泵(即电渗式,电泳式,电流体动力式,磁流体动力式等)。与此同时,基于进出口机构不同,各类微型泵也分为阀式微型泵和无阀微型泵[1,2,4]。无阀微型泵,使用喷嘴/扩散元件,很容易制成小体积且可避免磨损和疲劳的移动部件。 为了使机械种类的微型泵产生存储空间,隔膜被广泛应用[1,2]。压电驱动隔膜通常产生高驱动力和快速的机械响应,但是他们需要高的输入电压。隔膜产生的存储空间相对较小。热气动式驱动隔膜[7]需要低输入电压,产生高泵率,而且结构可以非常接凑,但是高功率消耗和较长的热时间常数是其主要缺点。静电驱动隔膜[8]有快速响应时间,微电机械系统(MEMS)兼容性好和低功率消耗的优点,但是小的驱动器行程,较差的降解性能和高输入电压是使用这一隔膜的主要阻碍。电磁驱动隔膜[9]有较快速的相应时间,但他们没有得到很好的与MEMS兼容并且需要高能耗。 IPMC[10-15]是一种新型的,非常有前途的材料用于微型泵的驱动隔膜。机电驱动的IPMC在低输入电压下(~2V)有能力产生更大的弯曲变形(超过1%的弯曲应变),并不仅可以在液体中操作,而且可以在空气当中[16]。此外,使用IPMC的微型泵制造工艺简单。预计使用IPMC的微型泵制造成本与上文所述其他技术相比有非常强大的竞争力。 在这项研究中,介绍了IPMC致动器驱动的无阀微型泵系统设计方法。IPMC加上Nafion膜被认为是最好的驱动隔膜材料。为了估计圆形IPMC隔膜的变形形状,应用有限元法(FEM),利用双晶片梁模型[17]相当于IPMC致动器。使用这种模型,对多个参数进行研究,来确定IPMC隔膜的最佳电极形状并研究压力对存储容量的影响。此外,对最佳的IPMC隔膜进行普通的模态分析来评估共振对存储容量的影响。对无阀进出口部分,基于流动阻力系数方程,使用锥形的喷嘴/扩散元件[18-20]。考虑选定几何形状的喷嘴/扩散元件和最佳IPMC隔膜存储容量的影响,对无阀式微型泵的流量进行估计。 设计一个有效的IPMC隔膜 2.1.等效双晶片梁模型 对IPMC隔膜进行数值模拟并分析在输入电压下产生的变形。进行数值分析,商业有限元分析(FEA)程序-MSC/NASTRAN [21],配合使用于等效双晶片梁模型。等效双晶片梁模型的建立方便了IPMC致动器的建模与行为分析[17]。在这里,我们简要介绍其关键概念。当电压在厚度方向通过IPMC,IPMC中的水合反离子(或阳离子)从阳极一侧迁移到阴极一侧。这意味着移动的水合离子扩大了阴极侧,同时它使阳极一侧收缩从而使IPMC向阳极一侧弯曲[13]。基于上文描述驱动机制,等效双晶片梁模型,如图1所示,假定一个IPMC有两个同等厚度的虚拟层。利用穿过IPMC的电场影响,使IPMC的上层和下层扩张或收缩,彼此相反,使IPMC产生弯曲运动。等效机电耦合系数d31和等效弹性模量E的确定如下[17]: 图1一种典型形状的双晶片梁 式中: s是测量的末端位移;V是输入电压;Fbl是测量的阻力;Ez为悬臂IPMC的电场强度;下标1和3分别代表X方向和Z方向。 因为MSC/NASTRAN [21]不支持机电耦合分析,所以在有限元模型中利用热类比技术[22]执行机电耦合效应。在热类比技术中,机电耦合系数d31转化为热膨胀系数α1,如下: 式中:t是一个电势穿越一层的厚度。然后,温差ΔT取代电势ΔV。关于更多关于热类比技术的细节和事实可

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